北京
【CNMO科技消息】CNMO從韓媒獲悉，三星已完成第六代高帶寬內存（HBM4）的開發，并內部通過了量產準備審批（PRA），這是量產前的最終階段。該突破意味著其制造競爭力已直接轉化為盈利能力，而非僅停留在技術完成層面。
據悉，三星通過將10納米級第六代（1c）DRAM與采用4納米邏輯工藝制造的基礎芯片結合，解決了發熱和速度問題。HBM4的單價預計達中位500美元，較當前主力產品HBM3E（約370美元）上漲約50%，同時出貨量預計同比增長三倍，明年總量達105億Gb。這一價格與量的同步增長，將推動利潤大幅提升。
證券機構預測，三星電子2026年營業利潤可能接近或突破100萬億韓元，創歷史新高。其中，半導體部門（DS）明年營業利潤預計達77萬億-93萬億韓元，較今年（約40萬億-42萬億韓元）實現2-2.5倍增長。推動因素包括HBM市場主導權轉移及通用內存短缺帶來的價格普漲。
三星已向谷歌、英偉達等客戶提交HBM4樣品，目前未發現質量問題。業界預計其最早本月或明年初獲得英偉達最終質量認證（Qual），與下一代AI加速器Rubin的發布計劃同步。
CNMO注意到，全球AI內存嚴重短缺，競爭對手明年的產能預訂已滿。服務器DRAM需求明年預計增長35%，但供應僅增23%，導致價格持續上漲。三星將產能集中于高利潤的HBM和服務器DRAM，將進一步推升移動及PC內存價格。
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
