日本評論員：中國EUV光刻機遲遲沒有進展，和日本合作是個不錯的選擇

在全球半導體產業的話語體系中，EUV（極紫外）光刻機，幾乎已經被塑造成一座“技術珠峰”。誰能登頂，誰就掌握了先進制程的入場券；誰被擋在門外，誰就只能在7nm之后步履維艱。

正是在這樣的背景下，近期多家日本媒體和產業評論員再次把目光投向中國，并給出了一個頗具爭議、但并非空穴來風的判斷：中國EUV光刻機推進緩慢，在現實條件下，與日本展開技術合作，或許是一條更務實的路徑。

這番話，在國內輿論場聽起來并不“順耳”，但如果把情緒放一邊，單從產業結構與技術分工來審視，它并非毫無道理。

很多人低估了EUV光刻機的復雜性。它不是“放大版”的DUV，也不是靠某一項天才發明就能突破的設備，而是一個高度系統化的工業結晶。

一臺EUV光刻機，零部件超過10萬個，關鍵子系統涉及：等離子體EUV光源、超高反射率多層膜反射鏡、皮米級運動控制系統、真空系統與污染控制、復雜的軟件與算法協同。

目前，全球唯一能穩定量產EUV整機的企業只有一家——ASML，但ASML并不是獨立完成的。它的EUV，本質上是一個國際工業協作的產物。

在EUV產業鏈中，日本的存在感，遠比很多人想象得更高。幾個關鍵事實必須正視：

第一，日本掌控EUV光刻膠命脈。全球高端EUV光刻膠，長期由JSR、東京應化（TOK）、信越化學等日企主導。即便在美國和歐洲，先進制程也高度依賴日本光刻膠體系。

第二，日本在精密光學與材料上有不可替代性。 EUV反射鏡所需的多層膜材料、部分關鍵檢測與測量設備，日本企業在多個細分環節擁有世界級積累。

第三，日本廠商曾深度參與中國光刻生態。佳能、尼康在DUV時代長期服務中國晶圓廠，日本設備、材料與服務體系，曾是中國半導體制造的重要一環。只是近幾年，在地緣政治壓力下，這條通道被顯著收緊。

換句話說，日本并不是EUV“局外人”，而是隱形的關鍵參與者。

必須承認，中國在EUV方向上并非毫無進展。近年來，在光源、光學材料、精密控制等多個子領域，國內科研機構和企業已經取得階段性突破，一些原理樣機、實驗系統也頻頻見諸報道。

但問題在于：EUV不是實驗室項目，而是工程化、量產化的極限挑戰。目前中國面臨的核心瓶頸，集中在三點：1.系統集成經驗嚴重不足。EUV的難點不在“單項技術”，而在“十萬零件長期穩定協同”。2.關鍵材料與設備鏈條仍存在斷點。哪怕90%國產，只要10%卡脖子，就無法形成閉環。3.時間成本極其高昂。ASML從原理驗證到量產，用了二十多年；中國即便全力推進，也很難在短期內完成同等積累。

這也是日本評論員反復強調的一點：不是中國做不到，而是單打獨斗的代價極其高昂。

日本的優勢集中在“非整機、但不可或缺”的環節。光刻膠、精密檢測、光學材料——這些領域更容易通過聯合研發、技術合作、間接授權等方式展開，而不必觸碰整機禁區。日本半導體復興高度依賴海外市場，中國仍是全球最大的半導體消費國之一。完全切斷合作，并不符合所有日本企業的利益。因此，在一些日本評論員看來：與中國展開有限、務實、分層次的合作，反而比全面對抗更理性。

對中國而言，更現實的路徑可能是：核心方向堅持自主研發，在關鍵材料、設備、工藝環節，通過合作縮短學習曲線，用時間換空間，用合作換積累，最終形成可控、可替代的完整體系。

EUV不是靠口號解決的。它需要耐心、時間、工程能力，也需要在復雜的國際產業鏈中，找到對自己最有利的突破口。中國半導體真正的底氣，不在于“什么時候宣布成功”，而在于是否走在一條可持續、可積累、可復制的道路上。

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