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      荷蘭技術專家:大概 10 年以后,中國才能造出自己的 EUV 光刻機,但屆時,ASML 仍將遙遙領先

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      近年來,中國芯片話題持續引爆全球科技圈——尤其是關于 EUV(極紫外光)光刻機的研發進展。荷蘭技術專家、半導體深度觀察者馬克·海金克在訪談中指出,中國要真正自主制造出能夠與目前 ASML 系列 EUV 光刻機相媲美的系統,可能還需要約十年時間。

      在芯片制造中,光刻機是最核心、最復雜、最昂貴的設備,它決定了芯片圖形能否走向更小的節點、性能更強的制造水平。ASML 作為全球唯一能量產 EUV 光刻機的廠商,其一臺設備動輒高達 3 億美元以上,并且進入中國市場受到了嚴格的出口限制。

      美國政府從 2019 年起重拳禁止最先進的 EUV 光刻機出口到中國,這是全球芯片供應鏈中最具戰略意義的出口控制措施之一。中國因此無法通過采購來縮短與國外先進水平的差距,這也是促使國內自主研發光刻設備的重要驅動力。

      在這種背景下,中國選擇不再等待,而是主動迎難而上,一方面強化既有設備的國產化率,另一方面挑戰 EUV 光刻機這一“皇冠上的明珠”。這種選擇,不僅是技術追趕,更是國家戰略自立自強的體現——它關乎未來十年的科技命運,更關乎產業安全。

      近年來,中國在光刻技術上確實取得了實質性的進展:

      1. EUV 原型機已進入測試階段

      有多個獨立報道指出,中國某些團隊已經在 2025 年組裝了 EUV 光刻機的原型樣機,并實現了 13.5 nm 波長的 EUV 光源輸出,這是 EUV 光刻機最難攻克的部分之一。該系統幾乎填滿了整個廠房空間,目前正在進行實驗性測試。

      這意味著中國研發團隊已經跨越了“理論與實驗室驗證”的最初階段——進入了一個非常關鍵的驗證階段:能否穩定產生足夠強度、持續工作、高效率、高可靠性的 EUV 光源。這是全球光刻機研發最核心的難題之一。

      2. 多種技術路線在中國本土展開

      中國研發 EUV 光刻機的解決方案正在多線并進:有團隊采用 類似 ASML 的激光高溫等離子體(LPP)技術;另一批研發人員走 激光助力放電等離子體(LDP)路線,這是中國特有的技術嘗試,有望繞開某些國外專利與核心部件依賴。

      這反映出中國不僅在做“模仿”,更在嘗試在核心光源技術上尋找可能超越現有思路的創新。這樣的多線研發策略,有助于從根本上實現技術自主。

      盡管取得了積極進展,但與 ASML 目前成熟的 EUV 系統相比,中國的自主系統還有明顯差距,而這種差距并非短時間能夠彌補:

      1. 核心技術差距仍然明顯

      ASML 的 EUV 光刻機經過數十年演化,不僅實現了業內領先的光源功率與穩定性,還包括復雜的超精密光學系統、飛秒級控制軟件、納米級光刻定位系統等一整套成熟的產業體系——這不是單純造出原型就能達到的。

      即便中國團隊已經能穩定輸出 EUV 光源,目前公開資料顯示的光源功率(約 100 瓦)與現有 ASML 系統的近 600 瓦水平相比,仍有不小差距。且穩定性、壽命、主機集成能力等指標尚未進入量產級別。

      2. 產業鏈配套與人才積累仍需時間

      光刻機涉及全球最完整的供應鏈與技術積累:高精度光學、真空系統、伺服控制、光刻材料、EDA 軟件等等。中國雖然部分領域快速追趕,但整體配套水平與 ASML 的積累仍有差距。2024 年數據顯示,中國設備國產化率雖在提升,但在高端光刻機領域的自主比重仍然非常有限。

      荷蘭專業觀察者馬克·海金克認為,中國要真正造出能夠媲美現有 ASML 高端 EUV 系統的光刻機,還需要大約十年的時間。這一判斷有多層含義:

      1. 技術成熟不是“單點突破”

      原型機成功輸出光源并不等于可以大規模量產。要進入量產并穩定服務于 7nm、5nm 甚至更先進制程,還需要經過一系列長期驗證、材料成型、系統優化與供應鏈協同,這是一個產業級的循環,而非單次研發迭代。

      2. ASML 不會停步

      ASML 自身也在推進新一代 High-NA EUV 技術,這將進一步提高芯片制造精度,延伸到 2nm、1.5nm 甚至更先進的領域。而中國研發團隊即使量產了現階段的 EUV 設備,仍可能面對新一輪差距。技術競賽永遠不會停。

      3. 戰略與人才積累是長期工程

      EUV 光刻機是全球最復雜的裝備之一,它需要跨學科團隊的長期積累。例如光學設計、納米定位系統、清潔真空環境控制、核心軟件算法等。這些學科的突破,往往需要時間來驗證與跨代優化。

      盡管 EUV 是最先進制程必不可少的關鍵設備之一,中國目前在 DUV 和多重曝光技術方面已經實現了可用于 7nm 級芯片的量產實踐——這本身就已經是非常不易的突破。

      此外,中國本土設備供應商在刻蝕機、沉積機、清洗機等多個后端設備上實現了快速成長,這意味著即便不是最先進的 EUV,中國在特定中高端制程上也有自己的技術路徑。

      ASML 的統治地位不僅是技術優勢,更是長期積累與產業生態的結果。中國研發 EUV 光刻機面臨的是一場真正的 “從無到有、從弱到強的科技革命”,這需要政策、資本、人才與國際環境的共同推進。

      荷蘭技術專家指出的約 10 年路徑,并不意味著中國研發失敗,而是一種對現實的清醒判斷:與 ASML 的成熟體系相比,中國仍有差距——但這個差距是可以通過堅持與創新逐步縮小的。而中國在這個過程中所擁有的,不僅是技術實力的積累,更是產業自立和國家戰略安全的深遠意義。

      “我們不怕差距,不懼競爭,我們更怕失去追趕的勇氣?!敝袊酒a業的每一步進展,都在推動這種勇氣與實力,向世界展示一個更強大的技術未來。

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