技術(shù)破界，存儲無界！鎧俠 CES 2026 全場景存儲矩陣震撼登場

2026 年拉斯維加斯 CES 展會現(xiàn)場，全球存儲技術(shù)領(lǐng)軍者鎧俠（KIOXIA）的展區(qū)剛一開放便引爆全場。沒有花哨的布置，僅憑三款直擊行業(yè)痛點(diǎn)的重磅新品，就成為全場焦點(diǎn)，245.76TB 企業(yè)級 SSD 刷新容量天花板，消費(fèi)級 BG7 SSD 性能再攀高峰，汽車級 UFS 4.1 硬抗極端工況。

從消費(fèi)電子到數(shù)據(jù)中心，再到智能汽車，鎧俠以覆蓋全場景的存儲解決方案，用底層技術(shù)創(chuàng)新與場景化產(chǎn)品布局，重新定義 AI 時代的存儲標(biāo)準(zhǔn)，展現(xiàn)了引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展的硬核實(shí)力。

展會期間，科技視訊記者專程前往鎧俠展區(qū)，對鎧俠美國公司的Alex Mei與Mia Coi進(jìn)行了深度專訪，圍繞本次新品的技術(shù)創(chuàng)新與市場布局展開了深度交流。

消費(fèi)級 BG7 SSD：性能與靈活兼得的全能王者

對于游戲玩家和內(nèi)容創(chuàng)作者而言，存儲速度直接決定體驗(yàn)上限，游戲加載慢一秒錯失戰(zhàn)機(jī)，素材導(dǎo)出卡頓打斷創(chuàng)作靈感。鎧俠 BG7系列 PCIe 4.0 SSD的登場，正是為解決這些痛點(diǎn)而來，成為消費(fèi)級市場的性能新寵。

BG7 系列的核心技術(shù)支撐源自鎧俠第八代 BiCS FLASH 3D 閃存芯片與創(chuàng)新的 CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術(shù)。不同于傳統(tǒng) 3D NAND 將 CMOS 控制電路與存儲陣列分離布局的設(shè)計，CBA 技術(shù)通過 “外圍電路直接鍵合到存儲陣列” 的一體化架構(gòu)，大幅縮短了控制信號與存儲單元之間的傳輸路徑，不僅降低了數(shù)據(jù)傳輸延遲，更減少了信號損耗，讓閃存單元的性能得到充分釋放。這種底層架構(gòu)的優(yōu)化，配合鎧俠自主研發(fā)的高效控制電路與深度調(diào)校的主控芯片，形成了 “硬件協(xié)同 + 算法優(yōu)化” 的雙重優(yōu)勢，直接推動了性能與能效的跨越式提升。

在接口與協(xié)議層面，BG7 系列采用 PCIe 4.0 x4 接口并嚴(yán)格遵循 NVMe 2.0d 標(biāo)準(zhǔn)，這一組合為高速數(shù)據(jù)傳輸提供了堅實(shí)基礎(chǔ)。同時，它搭載 HMB技術(shù)，能夠借用系統(tǒng)內(nèi)存作為緩存，大幅提升小文件讀寫的響應(yīng)速度；而 SLC Cache 技術(shù)則通過將部分 TLC 閃存模擬為 SLC 閃存運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)了峰值性能的爆發(fā)，其最大順序讀取速度達(dá)到 7000 MB/s，4K 隨機(jī)讀寫高達(dá) 1000K IOPS，較上一代產(chǎn)品分別提升 16% 和 10%。對于用戶而言，這意味著 3A 游戲的復(fù)雜地圖加載僅需數(shù)秒，10GB 大小的 4K 視頻導(dǎo)出無需漫長等待，創(chuàng)作與娛樂過程始終流暢無阻。

靈活適配是 BG7 的另一大亮點(diǎn)。除了 256GB、512GB、1TB、2TB 四種容量選擇，它還提供 M.2 2280/2242/2230 三種規(guī)格，新增的 M.2 2242 外形打破了設(shè)備安裝限制，讓 OEM 廠商有更大設(shè)計空間，覆蓋更多終端產(chǎn)品。同時，TCG Opal 2.01 安全功能的加入，為用戶數(shù)據(jù)筑牢安全防線，無論是商用筆記本、臺式機(jī)還是高性能工作站，都能獲得安心高效的存儲體驗(yàn)。

企業(yè)級 SSD 矩陣：數(shù)據(jù)中心的高密度效能標(biāo)桿

在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，“空間 = 成本” 是顛撲不破的鐵律，每減少一個機(jī)柜占用空間，就能顯著降低電力消耗、散熱成本與運(yùn)維開支。鎧俠此次推出的 LC9 系列企業(yè)級 SSD，以 245.76TB 的恐怖容量刷新行業(yè)紀(jì)錄，其背后的高密度技術(shù)架構(gòu)，正推動數(shù)據(jù)中心存儲向 “緊湊化、高效化” 轉(zhuǎn)型。

LC9 系列的容量突破，核心源于鎧俠在 3D NAND 堆疊技術(shù)上的深耕。它采用 32 Die 堆疊的 2Tb BiCS FLASH? QLC 3D 閃存，通過在垂直方向增加存儲單元的堆疊層數(shù)，在有限的芯片面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了存儲密度的指數(shù)級提升。而 CBA 技術(shù)的深度融入，進(jìn)一步優(yōu)化了芯片內(nèi)部布局，讓存儲陣列與控制電路的集成度更高，避免了傳統(tǒng)設(shè)計中因布線復(fù)雜導(dǎo)致的空間浪費(fèi)，最終支撐起單塊 SSD 高達(dá) 245.76TB 的容量。這一容量相當(dāng)于數(shù)十塊傳統(tǒng)機(jī)械硬盤的總和，能夠讓數(shù)據(jù)中心在相同機(jī)柜空間內(nèi)存儲數(shù)倍數(shù)據(jù)，大幅提升空間利用率。

除了驚人的容量，LC9 系列的性能與可靠性同樣立足企業(yè)級應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。性能方面，其順序讀取速度最高可達(dá) 12GB/s，寫入速度最高可達(dá) 3GB/s，隨機(jī)讀取 IOPS 高達(dá) 130 萬次，即便面對數(shù)據(jù)湖、AI 模型訓(xùn)練等海量數(shù)據(jù)吞吐場景，也能快速響應(yīng)，避免出現(xiàn)性能瓶頸導(dǎo)致昂貴的 GPU 資源閑置。這種性能表現(xiàn)的背后，是鎧俠對存儲架構(gòu)的全面優(yōu)化：采用多通道并行傳輸設(shè)計，讓數(shù)據(jù)能夠同時通過多個通道讀寫，提升傳輸帶寬。優(yōu)化的 FTL（Flash Translation Layer）算法則有效提升了地址映射效率，減少了讀寫延遲。

在可靠性上，LC9 系列達(dá)到了企業(yè)級存儲的硬核標(biāo)準(zhǔn)。它具備每天 0.3 次全盤寫入（DWPD）的高耐久性，能夠滿足數(shù)據(jù)中心長期高頻率讀寫的需求。同時搭載多項(xiàng)數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)，包括芯片級恢復(fù)功能，可在閃存單元出現(xiàn)故障時快速定位并修復(fù)數(shù)據(jù)；基于奇偶校驗(yàn)的錯誤管理系統(tǒng)，能夠?qū)崟r檢測并糾正數(shù)據(jù)傳輸過程中的錯誤；而完善的突然斷電保護(hù)機(jī)制，則通過預(yù)留電容確保斷電瞬間數(shù)據(jù)的完整寫入，避免數(shù)據(jù)丟失。

為了覆蓋不同數(shù)據(jù)中心的細(xì)分場景，鎧俠構(gòu)建了 “LC9+CM9+CD9P” 的企業(yè)級 SSD 矩陣。CM9 系列以 “均衡性能+高性價比” 為核心定位，提供多種容量選擇，讀寫性能穩(wěn)定，適合中小規(guī)模業(yè)務(wù)服務(wù)器、數(shù)據(jù)庫存儲等場景。CD9P 系列則聚焦 “高吞吐量+低延遲”，針對金融交易系統(tǒng)、實(shí)時數(shù)據(jù)分析、高頻數(shù)據(jù)庫查詢等對響應(yīng)速度要求極高的場景優(yōu)化，能夠在高并發(fā)負(fù)載下保持穩(wěn)定的低延遲表現(xiàn)，確保業(yè)務(wù)流程的順暢運(yùn)行。三款產(chǎn)品各司其職、相互補(bǔ)充，形成了覆蓋從海量存儲到高性能計算的全場景企業(yè)級存儲解決方案。

汽車級 UFS 產(chǎn)品：智能汽車的極端環(huán)境可靠伙伴

當(dāng)智能汽車成為 “四個輪子上的智能終端”，車載存儲的需求早已超越 “存音樂、存導(dǎo)航”，需扛住 ADAS 數(shù)據(jù)記錄、多屏 4K 娛樂、車聯(lián)網(wǎng)實(shí)時交互的多重壓力。鎧俠兩款汽車級 UFS 產(chǎn)品，UFS Ver3.1 與 UFS Ver4.1，成為展區(qū)的 “流量擔(dān)當(dāng)”，其中 UFS Ver4.1 更是焦點(diǎn)中的焦點(diǎn)。

這款通過 AEC-Q100 汽車電子可靠性認(rèn)證的產(chǎn)品，能硬抗 - 40℃至 105℃的極端溫度，無論是北方寒冬的露天停車，還是南方盛夏的車內(nèi)暴曬，都能穩(wěn)定運(yùn)行。基于第八代 BiCS FLASH 技術(shù)與自主研發(fā)控制器，UFS Ver4.1 性能實(shí)現(xiàn)跨越式提升：順序讀取、寫入性能分別達(dá)到上代的 2.1 倍和 2.5 倍，隨機(jī)讀寫性能更是提升 3.7 倍，既能支撐 4K 車載視頻秒開秒播，又能快速吞噬 ADAS 每秒數(shù)百 MB 的傳感器數(shù)據(jù)，不拖慢智能駕駛響應(yīng)速度。512GB 的大容量與增強(qiáng)診斷功能，讓它成為智能汽車的理想存儲伙伴，全方位滿足車載場景的嚴(yán)苛需求。

底層技術(shù)革新：BiCS FLASH 與 CBA 的硬核支撐

所有產(chǎn)品的卓越表現(xiàn)，都源于鎧俠在底層技術(shù)的深耕。展區(qū)的可視化裝置直觀展示了 3D NAND 晶圓的核心結(jié)構(gòu)，BiCS FLASH 技術(shù)通過垂直方向堆疊更多存儲單元，既提升容量密度，又縮短數(shù)據(jù)傳輸路徑，降低延遲。

而CBA技術(shù)作為 BiCS FLASH 的關(guān)鍵升級，更是打破了傳統(tǒng) 3D NAND 的性能瓶頸。通過將 CMOS 控制晶圓與存儲陣列直接鍵合，CBA技術(shù)消除了兩者之間的物理間隙，減少了信號傳輸過程中的損耗與延遲，讓控制指令能夠更快速、精準(zhǔn)地傳遞到存儲單元，同時降低了芯片的整體功耗。這一技術(shù)不僅支撐起 BG7 系列消費(fèi)級 SSD 的性能與能效躍升，更讓 LC9 系列企業(yè)級 SSD 實(shí)現(xiàn) 245.76TB 的容量突破，成為鎧俠全場景產(chǎn)品矩陣的 “核心賦能者”。

從顯微鏡展示區(qū)可見，鎧俠 3D NAND 堆疊層數(shù)已達(dá)行業(yè)領(lǐng)先水平，單元間電路布局更緊湊，可靠性持續(xù)優(yōu)化。隨著技術(shù)迭代，下一代 BiCS FLASH 將實(shí)現(xiàn)更多層數(shù)堆疊與更高單元可靠性，讓存儲產(chǎn)品在容量、性能、壽命上實(shí)現(xiàn)再度飛躍。

全場景布局，引領(lǐng)存儲行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展

鎧俠在 CES 2026 的亮相，不僅展現(xiàn)了全場景存儲產(chǎn)品的強(qiáng)大實(shí)力，更以技術(shù)與場景雙驅(qū)動，重塑行業(yè)格局。從消費(fèi)級 BG7 SSD 到企業(yè)級 LC9/CM9/CD9P 矩陣，再到汽車級 UFS 產(chǎn)品，鎧俠徹底打破 “單一產(chǎn)品適配多場景” 的行業(yè)慣性，以定制化解決方案滿足不同領(lǐng)域的核心需求。

作為行業(yè)風(fēng)向標(biāo)，鎧俠憑借 BiCS FLASH 與 CBA 等核心技術(shù)，定義了下一代存儲的性能與容量標(biāo)桿。其綠色節(jié)能、AI 適配的產(chǎn)品特性，為數(shù)據(jù)中心、智能汽車、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的數(shù)字化升級提供核心支撐，推動行業(yè)從 “容量競賽” 向 “效能與場景適配” 的高質(zhì)量發(fā)展轉(zhuǎn)型。未來，隨著技術(shù)的持續(xù)迭代，鎧俠必將帶來更多突破性產(chǎn)品，為全球用戶解鎖更高效、更可靠、更靈活的存儲體驗(yàn)，書寫存儲行業(yè)的全新篇章。