國芯網[原:中國半導體論壇] 振興國產半導體產業!
不拘中國、放眼世界!關注世界半導體論壇↓↓↓
1月13日消息,據外媒報道,美光移動與客戶端業務部門市場副總裁 Christopher Moore表示,由于晶圓廠擴建周期漫長、認證流程復雜,存儲器供應緊張的問題在 2028 年前難以明顯改善。
![]()
這一判斷與美光的長期擴產規劃形成呼應。據悉,美光紐約首座晶圓廠計劃于 2030 年投產,第二座工廠預計在 2033 年上線,第四座工廠則規劃在 2045 年前后完成。同時,美光愛達荷州第一座晶圓廠預計 2027 年開始 DRAM 生產,第二座愛達荷工廠的投產時間預計將早于紐約首廠。
Christopher Moore 指出,新建晶圓廠不僅涉及建設本身,還包括客戶認證以及滿足 AI 客戶對制程和良率的高標準要求,這些因素都會拉長時間表。因此,在全部審批完成之前,美光愛達荷工廠難以實現實質性放量,真正顯著的產能釋放預計要到 2028 年之后。
Moore 同時強調,單靠新工廠投產,無法迅速解決當前的存儲器短缺,另一大制約因素在于客戶對不同容量模組的多樣化需求。例如,當蘋果等客戶同時下單 8GB、12GB 和 16GB 模組時,生產線需要頻繁切換配置,從而降低整體效率。
AI 相關需求的快速增長正成為美光無法忽視的重點。Moore 表示,數據中心和企業級市場正在迅速擴張,其在美光整體存儲器業務中的占比已從 30% 至 35% 提升至接近 50% 至 60%。外媒 Tom’s Hardware 的報道則稱,退出 Crucial 品牌,反映出美光正將資源更多轉向企業級 DRAM 和 SSD,以應對 AI 帶來的需求增長。
半導體論壇百萬微信群
第一步:掃描下方二維碼,關注國芯網微信公眾號。
文章內容整理自網絡,如有侵權請聯系溝通
特別聲明:以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布,本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.