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2025年12月30日晚,上海證券交易所官網披露,國內DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)龍頭企業(yè)長鑫科技集團股份有限公司的科創(chuàng)板IPO申請已獲受理。此次上市擬發(fā)行不超過106.22億股,募集資金高達295億元,保薦機構為中國國際金融股份有限公司和中信建投證券。值得關注的是,長鑫科技是科創(chuàng)板試點IPO預先審閱機制后首家獲受理的企業(yè),其招股書及兩輪問詢回復均在受理當日同步公開。
295億元募資將用于三大技術項目
根據招股書,295億元募資將全部投向存儲芯片技術的升級與研發(fā)。具體包括:存儲器晶圓制造量產線技術升級改造項目、DRAM存儲器技術升級項目以及動態(tài)隨機存取存儲器前瞻技術研究與開發(fā)項目。這三個項目合計總投資規(guī)模達345億元。其中,DRAM存儲器技術升級項目擬投入130億元,動態(tài)隨機存取存儲器前瞻技術研發(fā)項目擬投入90億元,存儲器晶圓制造量產線技術升級改造項目擬投入75億元。
長鑫科技成立于2016年,是一家采用IDM(垂直整合制造)模式的半導體存儲企業(yè),集芯片設計、制造、封裝測試及銷售于一體。憑借在合肥、北京兩地擁有的3座12英寸DRAM晶圓廠,公司已完成從DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等主流產品的迭代,核心工藝技術已達到國際先進水平。根據市場研究機構Omdia的數據,長鑫科技已位居中國第一、全球第四的DRAM廠商,2025年第二季度全球市場份額約為3.97%。
研發(fā)投入高企
盡管在快速擴張期公司仍處于累計虧損狀態(tài)(截至2025年6月30日累計虧損408.57億元),但其營收保持高速增長。2022年至2025年9月累計營收達736.36億元,2022年至2024年主營業(yè)務收入復合增長率高達72.04%。2025年前三季度,公司營業(yè)收入同比增長97.79%,扣非歸母凈利潤同比增長81.37%。研發(fā)方面,2022年至2025年上半年累計研發(fā)投入188.67億元,占累計營業(yè)收入的33.11%;2025年上半年研發(fā)費用率達23.71%,顯著高于國際同行平均水平。
長鑫科技在招股書中預測,2025年全年營業(yè)收入將達到550億元至580億元,同比增長127.48%至139.89%。此次科創(chuàng)板IPO若成功實施,將為公司進一步提升在全球存儲芯片市場的競爭力提供關鍵資金支持。
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