HBF，正在加速

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韓國科學技術院（KAIST）的金正浩教授表示：“HBM耗時超過10年，但HBF速度更快。”

“HBM6也將采用HBF技術……到2038年，HBF有望在市場上超越HBM。”

據預測，高帶寬閃存（HBF），也稱為 NAND 閃存的“HBM”版本，即將實現商業化。由于僅基于 DRAM 的 HBM 容量已接近極限，難以滿足爆炸式增長的 AI 數據需求，因此對高容量的新型 NAND 閃存解決方案的需求預計將迅速增長。三星電子和 SK 海力士等主要存儲器制造商預計將基于其在 HBM 領域積累的設計和工藝技術，迅速轉向 HBF 的開發。

韓國科學技術院（KAIST）電氣與電子工程系教授金正浩（Kim Jeong-ho）16日在瑞草區良才洞舉行的未來材料、組件和設備論壇上表示：“三星電子和閃迪計劃在明年年底或2028年初將HBF技術應用于英偉達、AMD和谷歌的實際產品中。” 他補充道：“HBM技術耗時十余年，但我認為HBF技術在短時間內即可實現。由于我們在研發HBM的過程中積累了豐富的工藝和設計技術，我們已將這些經驗應用于HBF設計中。我認為HBF技術的研發速度會更快。”

HBF 是一種存儲器概念，它將多個 3D NAND 閃存垂直堆疊，類似于 HBM（垂直堆疊 DRAM），從而提高帶寬。從最底部的基片開始，堆疊的 NAND 閃存通過硅通孔 (TSV) 連接。

HBF作為一種能夠滿足未來人工智能需求的下一代內存技術，正備受關注。它既能像HBM一樣擴展帶寬，又能保持SSD的高容量。業內人士預測，HBF的每秒帶寬將超過1638 GB/s。考慮到基于NVMe PCIe 4.0的標準SSD存儲帶寬最高僅為7000 MB/s，這無疑是一項顯著的提升。此外，HBF的容量為512 GB，遠高于HBM4（64 GB）。

三星電子和SK海力士此前已與美國SanDisk公司簽署了一份關于HBF標準化的諒解備忘錄（MOU），目前正通過一個聯盟開展HBF標準化工作。他們正在開發旨在2027年前上市的產品。SK海力士還宣布，將于本月晚些時候發布并演示HBF的試用版本。

金教授解釋說：“GPU要執行AI推理，必須從HBM讀取稱為KV緩存的可變數據。然后，它會解釋這些數據并逐字輸出，我認為它會利用HBF來完成這項任務。”他繼續說道：“HBM速度很快，HBF速度很慢，但它的容量大約是HBM的10倍。然而，雖然HBF的讀取次數沒有限制，但它的寫入次數卻有限制，大約為10萬次。因此，當OpenAI或谷歌編寫程序時，他們需要構建軟件結構，使其專注于讀取操作。”

他補充道：“如果把家里的書架比作 HBM，GPU（圖形處理器）在上面學習和輸出數據，那么 HBF就像去圖書館學習。速度慢一些，但它基于更龐大的內容庫。” 他還說：“你可以在家用幾本書做測試，但對于復雜和專業的學習，你需要去圖書館。”

HBF預計將與HBM一同安裝在圖形處理器（GPU）等人工智能加速器旁邊。金教授預測，HBF將在HBM6發布后開始得到廣泛應用。

他說：“當我們過渡到 HBM6 時，就像建造公寓樓一樣，HBM 不會單獨建造，而是多個 HBM 連接到一個網絡。”他還說：“由于 HBM 基于 DRAM 且容量有限，因此通過堆疊 NAND 制成的 HBF 將會出現，我認為從 2-3 年開始，我們會經常看到 HBF 這個詞。”

他繼續說道：“之后，HBF將開始運行，數據存儲將連接到HBF的后端。目前，向GPU提供數據需要經過存儲網絡、數據處理器，然后再到GPU的漫長路徑。然而，未來HBM7將實現直接從HBM后端處理數據。這被稱為內存工廠。”

他還預測：“我認為到 2038 年左右，HBF 市場將超過 HBM 市場。”

https://www.sisajournal-e.com/news/articleView.html?idxno=418621

（來源：編譯自sisajournal-e）

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