北京
報告作者：Dr.Jeongdong Choe Senior Technical Fellow，SVP
以美光為例，1x 制程 （19~17nm）、1y（17~14nm）、1z（16~12nm）、1α（14~11nm）、1β（13~10nm）、1γ（11~9nm？）
根據 IRDS技術路線圖，EUV曝光的極限預計會到7nm左右，最后進入到3D DRAM
2025年全球需要的DRAM 容量（不含HBM）約為2000多億Gb（bit）
1Eb=10億Gb。
從12nm開始，陸續進入到EUV制程。
字線、位線ptich。
從密度上來說，12~13nm制程，單平方毫米已經超過430Mb。
也就是單片wafer 在良率90%情況下?？梢宰龅?000GB以上。按照當前DDR5 單GB 1.5美金，單片wafer應該在4500美元以上。
國產來看，單位平方毫米的存儲密度約為239Mb，也就是說單片wafer 超過1800GB，單片wafer價值2800美元（ 目前DDR4、DDR5價格幾乎齊平）
按照長鑫單季度超過50萬片投片量，單個季度收入應該可以超過15億美元。
混合鍵合在HBM工藝上優勢明顯，但是突破難度較高
國產3D NAND 份額保持在6%左右。
從密度趨勢來看，超過250層的3D NAND 密度已經超過20Gb/mm2。意味著在90%良率下，單片wafer 超過150TB。單片wafer價值量（按照0.05美元/GB價格）超過7000美元。
從制程來看，3D NAND制程平均在20~25nm制程。未來有可能接近19nm
長存從一開始就采用混合鍵合工藝，這也是3D NAND走向400層以上的關鍵技術，所以三星等希望長存授權相關技術
從技術路線來看，DRAM更依賴于EUV等先進制程工具來提高存儲密度；而3D DRAM有機會緩解這一瓶頸。
NAND密度提升依賴于混合鍵合技術，通過堆疊的方式增加更多層存儲單元，而這一技術的領導者是國產廠商。
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