晶圓廠瘋建，光刻機卻賣不動了

文 | 半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

2025年，全球晶圓廠的擴產(chǎn)節(jié)奏明顯加快，但一個反常現(xiàn)象出現(xiàn)了：光刻機的出貨總量卻在下降。

從當前全球光刻機的市場供應格局來看，具備商用光刻機批量生產(chǎn)能力的廠商仍高度集中，核心玩家僅有荷蘭 ASML、日本佳能、日本尼康三家；國內雖有部分企業(yè)實現(xiàn)了光刻機的小批量出貨，但因尚未形成規(guī)模化量產(chǎn)規(guī)模，暫未納入本次主流市場的統(tǒng)計范疇。

光刻機三巨頭，出貨幾何？

ASML，出貨約327臺

回顧過往，2016年及以前，ASML的EUV光刻機年出貨量僅1-5臺，DUV光刻機年出貨量約150臺；2017年后，EUV出貨量逐年攀升，2023年達到峰值53臺，同期DUV出貨341臺；2024年，ASML光刻機總出貨量創(chuàng)下歷史最高，為418臺。

但2025年這一趨勢出現(xiàn)轉折。根據(jù)ASML發(fā)布的2025財年業(yè)績報告，第四季度新售出光刻系統(tǒng)94臺、二手系統(tǒng)8臺；全年新光刻系統(tǒng)300臺、二手系統(tǒng)27臺，相比2024年的380臺新系統(tǒng)、38臺二手系統(tǒng)，出貨總量明顯下滑。

分機型來看，EUV光刻系統(tǒng)表現(xiàn)亮眼，銷售額同比增長39%至116億歐元，對應確認48臺收入，首臺EXE:5200B系統(tǒng)完成現(xiàn)場驗收并入賬；DUV光刻系統(tǒng)則有所承壓，銷售額同比下降6%至120億歐元，確認279臺收入，首款面向3D集成市場的XT:260系統(tǒng)已交付并確認收入。兩者合計，2025年ASML已確認收入的光刻機約327臺，較2023年、2024年顯著回落。

中國市場仍是ASML的重要支撐，2025年占其凈系統(tǒng)銷售額的33%，位居全球首位，但這一比例較2024年的41%有所下降。為滿足中國內存廠商的需求，ASML計劃2026年第四季度推出新款浸潤式DUV NXT：1965i。該機型由1980i系列降規(guī)而來，既符合美國出口規(guī)范，又能適配中國內存企業(yè)的需求，有望為2026年四季度及2027年業(yè)績提供助力。

展望未來，依據(jù)蔡司半導體的擴產(chǎn)規(guī)劃，ASML預計2027年EUV出貨量將達80-85臺，DUV出貨量將達380-400臺，重回增長軌道。

尼康+佳能：合計出貨約318臺

尼康與佳能暫未公布2025年光刻機準確出貨數(shù)據(jù)，但從兩家財報預測中可大致推算。其中，尼康2025年4-9月半導體光刻機銷量為9臺，低于去年同期的10臺；同時，尼康將本年度銷量目標從上調前的34臺下修至29臺，略高于2024年的28臺。

佳能的表現(xiàn)相對穩(wěn)健，2025年一季度半導體光刻設備銷量56臺，同比增加7臺；盡管將本年度銷量目標從308臺下調至289臺，但相較于2024年的233臺，仍能實現(xiàn)24%的同比增長。

綜合兩家目標推算，2025年尼康與佳能合計出貨量約為318臺。

據(jù)此計算，2025年全球三大光刻龍頭的光刻機總出貨量約為645臺。

中國光刻機進口數(shù)，下滑！

伯恩斯坦根據(jù)中國海關公開數(shù)據(jù)，對2025年中國半導體晶圓制造設備（WFE）進口情況進行了回溯分析。結果顯示，2025年中國晶圓制造設備進口總額達391.66億美元，同比增長3%，創(chuàng)下歷史新高；其中12月單月進口額45.08億美元，環(huán)比增長84%，成為全年進口峰值。

光刻機進口方面，2025年全年進口額與2024年基本持平，僅同比下滑1%，但12月光刻機進口額達23億美元，創(chuàng)下月度歷史紀錄。（相關進口指標包括：沉積、干法刻蝕、光刻機、過程控制系統(tǒng)、材料去除與清潔、其他，以及對應總額和不含光刻的總額）

受美國出口限制影響，ASML預計，2026年中國占銷售額的比例將降至20%。

DUV 是國內光刻機的主要進口品類。一方面，國內半導體產(chǎn)業(yè)正處于成熟制程擴產(chǎn)、特色工藝突破的關鍵階段，DUV 的技術特性可覆蓋 7nm 及以上絕大多數(shù)制程需求，與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)階段發(fā)展節(jié)奏高度匹配；另一方面，EUV 受美國技術管控無法正常進口，國內企業(yè)只能通過加大 DUV 進口，彌補先進制程發(fā)展受限的缺口，同時保障成熟制程的產(chǎn)能釋放。

近年來國內持續(xù)增加光刻機進口，核心原因有三：

其一，內存芯片制造是進口DUV的第一大應用場景。國內主流內存企業(yè)2025年持續(xù)推進3D NAND與DDR4/DDR5內存的擴產(chǎn)，而3D NAND的堆疊層數(shù)提升、DDR內存的制程優(yōu)化，均高度依賴DUV光刻機——尤其是ASML的ArF浸沒式DUV，可通過多重曝光技術實現(xiàn)更高的圖形精度，支撐國內3D NAND堆疊層數(shù)向500層以上突破，同時降低存儲芯片的單位成本。

其二，成熟制程邏輯芯片生產(chǎn)，也是DUV進口的核心剛需。2025年，國內主流晶圓代工企業(yè)持續(xù)擴產(chǎn)28nm、40nm等成熟制程，廣泛應用于消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領域，而DUV正是這類制程的核心光刻設備。其中，ArF浸沒式DUV主要用于28nm（HKC+工藝）的生產(chǎn)，可實現(xiàn)高精度圖形曝光，保障芯片性能；KrF干法DUV則用于40nm及以上制程，兼顧生產(chǎn)效率與成本控制。

其三，特色工藝與功率半導體制造，進一步拓寬了DUV的應用邊界。在功率半導體領域（如IGBT、MOSFET），國內相關企業(yè)2025年加速擴產(chǎn)，這類芯片對光刻精度的要求相對較低，尼康、佳能的KrF干法DUV基本可以滿足需求，用于功率芯片的基片光刻、柵極圖形制作等環(huán)節(jié)，支撐新能源汽車、光伏、儲能等領域的功率芯片供應。此外，在射頻芯片、傳感器等特色工藝領域，DUV可通過靈活的曝光方案，適配不同芯片的結構需求，彌補高端光刻設備缺失的短板。

誰，擁有最多的光刻機？

在先進制程芯片的制造版圖上，EUV（極紫外）光刻機早已不是 “可選項”，而是決定產(chǎn)業(yè)話語權的 “入場券”。那么，誰擁有最多的光刻機呢？

自 ASML 在 2016 年正式量產(chǎn) EUV 光刻機以來，這十年間全球累計交付的 EUV 設備約為 309 臺。其中，臺積電獨占 157 臺，占比高達50.8%—— 全球一半的 EUV 產(chǎn)能都被這家中國臺灣代工廠收入囊中。緊隨其后的是三星，其工廠內部署了 76 臺 EUV；Intel 則擁有 35 臺，SK 海力士 29 臺，美光 5 臺，而 2022 年才成立的日本 Rapidus 公司，也拿到了 1 臺 EUV 作為先進制程布局的起點。

臺積電 157 臺 EUV 的保有量，絕非簡單的 “設備采購”，而是其在先進制程代工領域構建霸權的核心支點。從 2019 年首次在 N7 + 工藝中引入 EUV 開始，臺積電就將 EUV 與客戶需求深度綁定：蘋果 A 系列、高通驍龍、英偉達 GPU 等高端芯片的代工訂單，幾乎全部依賴臺積電的 EUV 產(chǎn)能。

三星 76 臺 EUV 的布局，折射出其在半導體領域 “雙線作戰(zhàn)” 的戰(zhàn)略困境：一方面，在邏輯芯片代工領域追趕臺積電；另一方面，在存儲芯片領域維持技術領先。不過，這種雙重目標導致其 EUV 資源被嚴重分流。

Intel 的 35 臺 EUV，是其 IDM 轉型的“底氣”；SK 海力士（29 臺）和美光（5 臺）的 EUV 布局，則聚焦于存儲芯片的 “工藝優(yōu)化”。日本 Rapidus 的 1 臺 EUV，更像是日本政府推動本土先進制程復興的 “破冰之舉”。這家成立于 2022 年的公司，得到了日本政府 5000 億日元的補貼和 ASML 的技術支持，目標是在 2027 年量產(chǎn) 2nm 芯片。

然而，僅僅是EUV的競爭，還不足夠。當現(xiàn)有 EUV的工藝極限逼近 2nm 時，ASML 推出的High-NA EUV成為了先進制程競爭的下一個核心戰(zhàn)場。

ASML 首席執(zhí)行官 Christophe Fouquet預計High NA EUV光刻機將于2027~2028年正式投入先進制程的大規(guī)模量產(chǎn)作業(yè)中。目前在導入新一代圖案化技術上最積極的是英特爾代工，其支持 High NA EUV 的 Intel 14A 節(jié)點將在 2027 年正式推出。Fouquet 表示，High NA EUV 光刻機目前正由英特爾等客戶測試，結果顯示新設備的成像和分辨率表現(xiàn)良好，該企業(yè)2026 年的任務之一是與客戶合作將設備的停機時間最小化。Fouquet還提到，ASML 對未來 10~15 年的大致技術路線已有一定的概念，該企業(yè)已啟動下一代 Hyper NA EUV 的研究。

早在2023年末，ASML就向英特爾交付了首臺High-NA EUV光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000的系統(tǒng)。英特爾將其作為試驗機，于2024年月在美國俄勒岡州希爾斯伯勒的Fab D1X完成安裝。英特爾宣布，已安裝了新的TWINSCAN EXE:5200B系統(tǒng)。這是目前全球最先進的光刻機，屬于第二代High-NA EUV，將用于Intel 14A制程節(jié)點。在ASML的合作下，已完成Intel 14A在英特爾晶圓廠的驗收測試，以提高晶圓產(chǎn)量。

作為ASML第二代High-NA EUV系統(tǒng)，EXE:5200B基于2023年交付英特爾的首臺研發(fā)機型EXE:5000升級而來，核心突破在于其0.55數(shù)值孔徑（NA）的投影光學系統(tǒng)。 相較當前主流的Low-NA EUV設備（分辨率約13nm），EXE:5200B可實現(xiàn)8nm單次曝光分辨率，徹底擺脫多重圖案化（Multi-Patterning）的復雜流程。

去年3月，三星在其華城園區(qū)引入了首臺ASML制造的High-NA EUV光刻機，型號為“TWINSCAN EXE:5000”。據(jù)悉，三星正計劃加大對極紫外（EUV）光刻設備的投資，購買新一批EUV光刻設備。同時三星將為晶圓代工部門新增兩套最新的High NA EUV設備，三星計劃在2025年底和2026年初分別交付一套，用于其2nm制程的全面生產(chǎn)，其中一套將部署在華城廠區(qū)，另一套則可能部署在泰勒晶圓廠。

去年9月，SK海力士在韓國利川M16工廠成功引進High-NA EUV光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5200B，是全球首款量產(chǎn)型High-NA EUV設備。

美國銀行預測，ASML 2026年High-NA EUV出貨量或僅4臺，較此前預期減少50%。

值得注意的是，晶圓代工龍頭臺積電對High-NA EUV光刻機態(tài)度謹慎。臺積電業(yè)務開發(fā)及全球銷售高級副總裁張曉強2025年表示，盡管認可High NA EUV的性能，但該設備價格超過3.5億歐元（約3.78億美元）。目前標準型EUV光刻機仍可支撐臺積電尖端制程生產(chǎn)至2026年，公司A16（1.6nm級）和A14（1.4nm級）工藝均不會采用High NA EUV光刻機。