上海
據DigiTimes匯總的市場數據，2026年2月存儲芯片現貨價格全面飆升，其中NAND閃存晶圓的表現尤為激進。
DigiTimes警告稱，存儲供需差距的擴大正推動現貨價格快速上漲和采購資金壓力，如果持續下去，可能導致行業周期崩潰。
在剛剛過去的2月中，1Tb TLC閃存晶圓現貨價格暴漲25%至25美元，創下該品類單月最大漲幅紀錄。
DRAM方面，DDR5 16Gb（2Gx8）芯片均價升至39美元，環比上漲7.4%；DDR4表現分化，16Gb規格微漲0.26%至78.10美元，8Gb版本上漲6.8%至33美元；DDR3 4Gb芯片上漲7.5%至5.70美元。
2月中旬春節假期短暫冷卻交易活動，節后現貨市場迅速反彈，DigiTimes指出，DDR4漲幅較1月20-30%的月度增幅有所回落，但這"僅是季節性因素，而非結構性壓力緩解的信號"。
現貨上漲背景是合約價格預測大幅上漲，TrendForce月初將2026年Q1常規DRAM合約價漲幅預測從55-60%上調至90-95%，PC DRAM更預計環比翻倍，創季度漲幅新紀錄；NAND閃存合約價漲幅也從33-38%上修至55-60%。
AI基礎設施是本輪漲價的核心原因，北美云服務商自2025年底提前鎖定訂單，將產能優先分配給服務器DRAM和高帶寬內存，導致常規DRAM及消費級NAND供應嚴重不足。
即便一級PC OEM廠商擁有固定供應商配額，庫存水平仍在持續下滑。
NAND領域長期趨勢更為嚴峻，DigiTimes援引中國閃存市場數據稱，1Tb QLC/TLC閃存晶圓價格自2025年10月以來已上漲約三倍，512Gb TLC價格同期漲幅近五倍。
供應商持續將產能轉向利潤率更高的企業級SSD，限制模組廠商晶圓供應，對整個品類形成持續上漲壓力。
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