中科院學者：中國半導體突圍的關鍵，不是抄ASML，而是創造屬于自己的制造體系

近年來，中國半導體產業進入了一個前所未有的發展關鍵期。尤其是在光刻機等尖端設備領域被核心技術“卡脖子”，讓中國芯片人深刻意識到：必須打造屬于自己的自主制造體系。

在全球半導體制造設備領域，荷蘭公司ASML幾乎獨占先進光刻機市場，其極紫外（EUV）光刻機是7nm及以下先進制程芯片制造的關鍵設備。由于技術出口管控，自2019年以來該類先進設備基本無法出口至中國，這成為中國發展高端芯片制造的一大障礙。

在這種背景下，中國不得不面對一個現實：單純依賴國外技術和設備，不僅成本高昂，而且在關鍵時刻存在被“掐斷”的風險。因此，打造自主可控的半導體制造體系，成為擺在科研機構、企業乃至戰略層面的一道必答題。

有人認為只要掌握了圖紙和零部件，就可以復制ASML的設備。然而這一觀點嚴重低估了先進制造裝備的復雜程度。ASML光刻機由上萬件高精度組件組成，背后是幾十年累積的材料科學、光學設計、精密機械、控制軟件與全球化供應鏈協同能力。此外，其核心組件如高精度鏡片、超穩定激光光源等，都是全球最難攻克的技術難點。

就連業內工程師也指出，復制一臺ASML設備容易，但復制其性能與穩定性并非簡單復制圖紙即可完成。更重要的是，這種路徑沒有技術積累的靈魂，只是一種重復他人成果的“模仿”行為。

面對先進設備的封鎖，中國半導體界正努力構建完全不同于簡單模仿的自主創新路徑：

1. 科研基礎積累顯著增長

中國在半導體相關研究上的論文發表數量早已領先全球，據統計中國學術界在芯片設計與制造相關論文方面的數量超過美國和其他國家合計，這為自主技術創新奠定科研基礎。中國科學院是國內科技論文發表的核心力量。

2. 自主替代設備加速推進

國內企業和研究機構近年來在刻蝕機、薄膜沉積設備、光刻機（低/中端）、檢測與計量工具等領域取得實質進展。例如上海微電子的光刻機產品、北方華創等企業的刻蝕與離子注入設備已在國內市場上快速增長，自主國產設備的訂單和部署數量持續增加。

3. 集成創新而非復制

自主制造體系強調構建一套完整鏈條，而不是單一設備突破。例如，在光刻技術之外，還包括光刻膠材料、本地制造軟件（如EDA）、智能制造系統等，同時推動成熟工藝（如14nm、28nm）向更高級別擴展。

要創造屬于中國自己的制造體系，僅僅研發設備還不夠，必須在全鏈路實現突破：

1. 基礎材料與核心組件的國產化

先進芯片制造依賴的核心材料，如光刻膠、晶圓材料、極端光源等一直是外依賴度極高的環節。中國科學院團隊在深紫外（DUV）激光光源等基礎部件上已有世界領先意義的科研成果，這些創新或將為未來國產光刻機提供核心技術基礎。

2. 軟件與設計工具的自主可控

芯片制造的軟件支撐——EDA（Electronic Design Automation）工具長期受制于國外企業。中國技術公司正在加速EDA本地替代和優化，提高設計效率，減少對外依賴。

3. 系統集成與制造流程的創新

中國并非只在復制現有路徑，而是在探索新的工藝體系。例如通過多圖案化技術推動刻蝕技術在先進節點的應用，或者研發與EUV不同路線的光刻技術，這些都可能形成具有中國特色的制造體系。

中國打造自主制造體系的意義，不僅僅是擺脫對ASML等企業的依賴。更深遠的，是建立能夠掌控產業命脈的技術生態，讓中國的芯片不再受制于人。

當然，這一進程充滿挑戰：與國際最先進水平相比，中國在高端設備精密度、可靠性和量產能力上尚有差距；核心人才和長期經驗積累也需要時間去彌補。但中國擁有世界最大的半導體市場、龐大的產業鏈基礎與長期政策支持，這些都是推動自主突破的重要力量。

中國半導體的突圍，不是對ASML的復制，而是要在更廣闊的領域里塑造自主創新體系。從材料到設備、從軟件到制造流程，每一環都需要基于原創設計與工程實踐去突破。

這是一條具有特色的創新之路，而不是技術追隨之路。只有真正建立起自己的制造體系，中國才能在全球半導體競爭中占據真正的主動權。

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