中科院學者：中國半導體突圍的關鍵，不是抄襲 ASML，而是創造屬于自己的制造體系

在全球科技競爭日益激烈的今天，半導體產業已成為經濟、科技與國家安全的戰略核心。中國作為全球最大芯片消費國，芯片自立自強不僅是產業發展的迫切需求，更是國家戰略的重大戰略支點。然而，在如何突破半導體關鍵技術瓶頸問題上，一個真實而深刻的聲音正在行業內部悄然形成：中科院等科研力量認為，中國半導體的突圍，關鍵不在于“抄襲”或復制國外技術如荷蘭 ASML 的光刻機，而在于構建屬于自己的全鏈條制造體系。

提起中國半導體行業，不少外界觀點過度聚焦于一件事：逆向工程、拆解光刻機、甚至“抄襲”國外先進設備。近年來，有媒體和互聯網上屢次出現中國科研團隊拆解外購光刻機、反向分析設備功能的說法，稱這或許是中國突破“卡脖子”技術的捷徑。

但事實遠沒有表面那么簡單。

一方面，荷蘭 ASML 在極紫外（EUV）和高端 DUV 光刻機領域長期保持絕對技術領先與產業壟斷。從設備制造精密度、光學組件、控制軟件到制造工藝體系，這些技術都經過數十年積累與全球供應鏈協同優化。即使逆向工程與拆解，也很難真正“復制”其核心技術。更重要的是，僅僅靠模仿構件結構，并不能真正掌握先進制造的能力。

另一方面，國外專家指出，即使中國團隊獲得了某些設備樣機并分析其結構，這些機器的關鍵部件和高精度性能仍無法單靠“模仿”就能達標，更無法實現大規模量產與穩定良率。

因此，“抄襲 ASML”在技術層面既不現實，也無法形成可持續的競爭力。而且，這種討論本身也對中國自主創新的路徑產生誤解——這不是技術成長的主線，而是旁支。

真正的突破，始于中國自主創新體系的建設。這不僅是技術研發的問題，更涉及產業鏈、人才培養、生態系統與戰略布局等多層面協同推進。

1. 構建全鏈條的設備與材料創新體系

半導體制造體系并非只是某一臺光刻機，而是一個由材料、設備、軟件、制造工藝、測試系統等環境構成的完整生態。中國在材料、工藝裝備方面已經逐步形成自己的力量。例如在清洗、刻蝕、離子注入等多個環節，中國企業在成熟工藝節點上快速取得進展，推動國產設備逐步進入全球供應鏈。

中科院以及國內科研機構也在光刻關鍵部件上開展創新。例如一些獨立路徑的光源技術、光學設計理念，試圖突破傳統依賴稀有氣體激光光源的設計理念，尋找新的技術路徑，這種原創性探索才是真正打造核心競爭力的方向。

2. 打造“閉環可控”的國產半導體生態

國際經驗告訴我們，領先的芯片制造能力不只是擁有一兩個核心設備，而是一個“閉環可控”的體系。荷蘭的光刻機之所以領先，不僅因為它的核心技術積累，還因為背后由全球材料供應商、精密加工制造商、系統集成商與軟件開發者共同組成了高效協作的創新生態。

中國目前在大部分半導體設備類別上已具備一定的產業基礎，但在高端光刻、EDA 軟件等核心環節仍存在明顯短板。據市場研究顯示，中國國內設備自給率在一些關鍵設備上仍非常低，尤其是近年來出口管制針對成熟 DUV 及 EUV 光刻設備的限制，使得自給能力面臨巨大挑戰。

科技創新講究的是“認知領先、路線領先”。與其試圖復制 ASML 現有的技術路徑，不如在某些關鍵技術上開辟全新的解決方案。這并非空中樓閣——在一些基礎科學與應用技術上，中國科研團隊已經開始探索與傳統不同的創新方向，嘗試打通長期被國外壟斷的核心環節。

這意味著，中國的半導體發展必須跳出“追趕式復制”的思維框架，進入面向未來的創新設計體系。例如通過在某些設備本質上采用新的光源、光學結構、機械設計等手段來規避現有專利封鎖，同時形成全新的知識產權體系。

中國半導體產業發展的另一關鍵是戰略上的全局布局和長期投入。僅靠市場自發力量，難以形成對重技術領域的突破。因此，中國實施了國家級戰略投資（如“大基金”），并推動科研機構、企業共同在材料、設備、制造、設計等領域投入研發資源。這種系統性支持，是任何單一企業或短期投入無法替代的。

更重要的是，中國強調的是“從基礎到應用、從設計到制造、從材料到設備”的全鏈條發展。這種體系化布局直接應對了國際出口管制和技術封鎖，推動中國在某些細分設備和制造步驟中加速趕超。

中國半導體行業面臨的挑戰是全方位的，但這正是中國科技力量發展的機遇所在。抄襲別人的技術或許在短期內看似能提供某些“突破”，但只能是表面現象，不可能構成持續競爭力。

這是一場長期而艱巨的戰略工程，沒有捷徑可走，但只要堅持原創與自身體系建設，中國必將在全球半導體舞臺上贏得立足之地。而這條路，不是抄襲別人，而是踏踏實實“造自己的半導體之路”。

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