荷蘭芯片專家：大概10年以后中國可以造出EUV光刻機，達到ASML目前的先進水平

在全球半導體技術激烈競爭的大背景下，一條來自荷蘭的觀點近日在國內科技圈引發熱議：荷蘭芯片專家認為，中國有望在大約10年以后，研制出可與荷蘭ASML目前最先進水平相媲美的極紫外光刻機（EUV）。無論如何，這一觀點本身就昭示著中國芯片技術在經歷封鎖與追趕后的新方向。

EUV（Extreme Ultraviolet）極紫外光刻機是當前制造最先進芯片——比如5nm、3nm甚至更先進工藝節點芯片——的核心設備。它通過13.5納米極短波長光源，把芯片電路精確“刻畫”在硅晶圓上。全球目前唯一能夠規模化量產EUV光刻機的公司，就是總部在荷蘭的ASML。這樣的設備單價高達數億美元，技術難度堪比“工業皇冠上的明珠”。由于美國等國家的出口管制，目前中國無法直接采購ASML最新的EUV光刻機，這也成為中國芯片自主可控進程中的一塊“硬骨頭”。

荷蘭媒體提到，有專家表示，以中國目前的研發速度、投資力度和產業集聚效應來看，“中國有望在大約10年以后，自己研制出與ASML目前水平相當的EUV光刻機”。這一說法并非空穴來風，而是建立在對中國科技生態和潛力的現實觀察上。

中國的科研投入強勁：近年來，中國產業界對半導體關鍵設備領域的投資逐年加大，特別是在光刻機、光學系統、光源技術等基礎科學方向上的布局。人才與資源密集：國內科研機構、高校與企業逐漸形成大規模人才聚集效應，為復雜系統的研發提供了必要的智力基礎。國產設備快速進步：在DUV（深紫外）光刻機等關鍵設備上，中國企業已經實現了從無到有、從追趕到局部領先的突破。

盡管無法直接購買ASML的EUV設備，中國的半導體產業并未停下腳步。近幾年我們看到多個層面的突破：

國產光刻機在DUV層面已經取得實際成果，并在中低制程芯片生產中得到應用，這本身就是從“完全依賴進口”走向“部分替代”的標志性進展。盡管距離EUV仍有差距，但這種能力的積累極為關鍵。

大量科研力量投身到光刻機核心技術領域——如高精度光學元件、極紫外光源、超精密機械結構等。這些領域長期積累本身就需要極高的跨學科合作能力和工程經驗。

中國本地的材料、零組件和設備制造能力越來越強，這為未來EUV光刻機的集成和制造打下了工業基礎。

盡管前景令人振奮，但我們也必須直面現實：真正意義上的EUV光刻機不是一件“小產品”，它是一臺集成光學、真空、力學、電控、軟件、測試與穩定性保證于一體的系統工程。

一些權威人士（如ASML CEO）明確表示，由于出口禁令等原因，中國目前在芯片制造技術上與最先進水平仍有較大差距，預計落后約10至15年。這個判斷主要基于產業生態、經驗積累和整體制造能力等因素。

此外，制造EUV光刻機不僅僅是造出一個“機器”，而是建立一套完整的產業配套體系：包括極精密鏡片、光源模塊、控制軟件、可靠性測試，到晶圓制造流程優化等多個環節，這些環節都需要長期積累與實戰驗證。

在全球科技競爭中，沒有一步登天，也沒有所謂“補課就能趕上”的捷徑。中國半導體產業的每一次突破，都是無數工程師夜以繼日的汗水，更是對困難的一次次正面迎擊。

未來10年、中國制造自己的EUV光刻機仍將是一個長期而艱巨的目標，但正是這樣的目標，激勵著一代又一代科研人員投身于國家重大科技攻關中。無論結果如何，這場追趕之路本身，就是中國科技實力崛起的見證。

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