國產HBM突圍！繞開兩大技術封鎖，自主產線已跑通

2026年1月21日，一條來自《證券之星》的消息在半導體圈炸開了鍋——中天精裝參股的深圳遠見智存首次公開承認，其HBM2e產品已實現流片及量產，而更先進的HBM3/3e已完成設計仿真，預計在2026年2-3月啟動流片。

這是國內HBM廠商第一次如此明確地宣布：“我們做出來了，而且下一代已經在路上。”

繞開“兩座大山”：一條自己的路

大家都知道，AI火爆背后，HBM（高帶寬存儲器）成了最搶手的“硬通貨”，價格飛漲還一片難求。但這條路，被國際巨頭用專利和技術筑起了高墻。

最核心的兩大技術是TSV（硅通孔）和CoWoS（晶圓級封裝），它們是實現存儲芯片垂直堆疊和高密度集成的關鍵。然而，根據產業鏈消息，遠見智存選擇了一條不同的路：通過設計上的調整，繞過了這兩大專利壁壘。

這意味著什么？簡單說，就是“不走尋常路”。具體技術細節雖未公布，但這清楚地表明：在無法直接復制國際巨頭技術路徑的情況下，國內團隊正以靈活的工程設計，尋找可行的替代方案。這本身就是一種突破——證明在封鎖之下，我們并非只能坐等，而能主動探索新解法。

“農村包圍城市”：一個生態的浮現

遠見智存的官宣，其意義遠不止一家公司的產品突破。它更像一個信號彈，照亮了一個正在成型的國產HBM全產業鏈生態。

上游：裝備與材料在跟進

裝備：造芯片需要頂級設備。在關鍵的刻蝕環節，中微半導體的極高深寬比刻蝕機已能應對先進存儲的嚴苛要求；薄膜沉積方面，拓荊科技的設備也達到了國際先進水平。甚至連檢測芯片平整度的“尺子”——晶圓平坦度測量設備，中科飛測也已成功出貨給HBM客戶，打破了國外壟斷。

材料：封裝必需的IC載板，深南電路、興森科技等國內企業已具備供應能力。

瓶頸：當然，最頂級的極紫外（EUV）光刻機仍是制約我們向更先進HBM3E邁進的最大外部障礙。

中游：制造與封測的底氣

制造環節，盡管長鑫存儲等國內存儲巨頭對HBM進展保持低調，但產業鏈的突破離不開其支撐。

封測歷來是我們的強項。長電科技、通富微電等企業已基本具備2.5D/3D先進封裝能力，這是將HBM與AI芯片（如GPU）“粘”在一起的關鍵步驟。雖然與臺積電的頂尖技術仍有差距，但已能滿足自主體系迭代的需求。

“彎道超車”的可能：3D DRAM的想象

面對EUV光刻機的限制，國內產業界也在思考“換道超車”。一種名為3D DRAM的顛覆性技術路徑被廣泛討論。

它不像傳統路線那樣拼命縮小芯片內部結構的尺寸（這極度依賴EUV），而是更側重于向上堆疊，因此對刻蝕和鍵合工藝的要求更高。而這恰恰是國產設備正在發力的領域。如果這條路徑能走通，或許能為我們開辟一條擺脫光刻機限制、直指未來存儲技術的新賽道。

冷靜看待：突破之后，路還很長

首次官宣量產，無疑令人振奮。但我們也要清醒地看到：

“能做”不等于“領先”：遠見智存尚未公布HBM2e的具體性能參數（如帶寬、堆疊層數）。實現量產是第一步，下一步關鍵是與國際主流產品在性能、功耗、成本上的實際對比。

生態“通”了，但需“精耕”：從材料、設備到制造、封測，鏈條是初步打通了，但每個環節的成熟度、良品率、產能穩定性，都需要時間打磨和大量資金投入。

市場需求是最終裁判：產品最終需要獲得下游AI芯片公司的驗證和采用，形成“設計-制造-應用”的良性循環，才能真正在市場上立足。

結語：一場務實的“持久戰”

2026年初的這次官宣，是中國半導體產業在高端存儲領域交出的一份務實答卷。它沒有渲染“全面超越”，而是展示了一種“在封鎖中找縫隙，在限制下謀創新”的突圍姿態。

它告訴我們，國產替代已經進入最艱難的“深水區”——不再是組裝和低端制造，而是向核心知識產權和尖端工藝發起攻堅。HBM的突破，是無數設備工程師、材料學家、芯片設計師在各自崗位上一點點啃下硬骨頭的結果。

對于普通讀者而言，這個突破的價值或許在于：它剝開了技術競爭的神秘面紗，讓我們看到，突破“卡脖子”并非一蹴而就的奇跡，而是一條需要整個產業鏈協同、堅持自主創新、并做好長期奮斗準備的扎實之路。前方的挑戰依然巨大，但第一步，已經穩穩地邁了出去。