在微電子封裝領域,鹵素(氟、氯、溴等)污染對金-鋁(Au-Al)鍵合界面的長期可靠性構成顯著威脅。其危害機制主要在于,當界面存在鹵素離子且環境提供水汽(H?O)時,會引發電化學腐蝕反應,導致金屬間化合物異常生長、界面空洞形成及鍵合強度退化,最終引發器件失效。
一、鹵素污染的來源與界面影響
鹵素污染可能來源于多個工藝環節,比如:
晶圓制造過程:如氧化硅蝕刻(氟化物殘留)、光刻膠去除(含氯溶劑)、RIE工藝殘留等。鹵素可能直接與鋁焊盤發生化學反應,形成難去除的化合物。高濃度氟污染甚至會導致焊盤呈現特征性的棕色外觀,直接影響表面可鍵合性。
封裝材料:某些環氧樹脂或模塑料在固化或高溫老化過程中可能釋放鹵素氣體(主要為氯)。
外部環境:來自清洗溶劑、設備墊片或環境中的鹵素污染物。
二、去除與抑制鹵素污染的技術途徑
針對不同來源和結合狀態的鹵素,需采取差異化的清洗與防護策略:
![]()
三、結論與系統性建議
有效的鹵素污染控制需要貫穿于設計、制造與封裝全流程:
源頭預防:在材料選型與工藝設計中優先采用無鹵素或低鹵素方案。
過程監控:對關鍵工藝節點(如清洗、蝕刻、鍵合前)進行表面化學成分分析(如XPS、TOF-SIMS),早期識別污染風險。
針對性清洗:根據鹵素結合狀態選擇匹配的清洗工藝,并在處理后評估其對界面特性與器件性能的綜合影響。
可靠性驗證:對可能存在鹵素風險的工藝批次,增加高溫高濕(如85℃/85%RH)或高壓蒸煮(HAST)等加速應力測試,并結合界面形貌與成分分析,系統性驗證鍵合可靠性。
![]()
通過上述多層次的協同控制,可顯著降低鹵素誘導的界面退化風險。在這一過程中,基于推拉力測試系統的力學性能評估與可靠性驗證測試發揮著關鍵作用:科準測控可提供專業的界面結合強度測試方案,結合溫循-濕熱-機械應力復合測試平臺,系統評估器件在嚴苛環境下的長期服役穩定性,為微電子封裝工藝優化與可靠性保障提供精準數據支撐。
特別聲明:以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布,本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.