半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局生變？中韓科技博弈走向縱深！

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭格局正經(jīng)歷深刻變革，據(jù)韓國ZDNet Korea近日披露，三星電子已與中國存儲(chǔ)芯片企業(yè)簽署混合鍵合技術(shù)專利授權(quán)協(xié)議，該技術(shù)將應(yīng)用于其第十代430層NAND閃存制造。這標(biāo)志著韓國半導(dǎo)體巨頭在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域開始轉(zhuǎn)向中國尋求突破。

技術(shù)版圖重構(gòu)下的雙向選擇

混合鍵合作為3D NAND堆疊技術(shù)的核心，其專利布局正成為產(chǎn)業(yè)競爭的關(guān)鍵戰(zhàn)場。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)前該領(lǐng)域關(guān)鍵專利主要集中在中美企業(yè)手中，迫使韓國存儲(chǔ)雙雄不得不調(diào)整策略。SK海力士同樣面臨類似處境，其下一代NAND閃存技術(shù)研發(fā)也需與中國企業(yè)達(dá)成專利合作。

市場研究機(jī)構(gòu)Gartner最新報(bào)告揭示了韓國半導(dǎo)體企業(yè)的現(xiàn)實(shí)困境：三星電子DRAM與NAND閃存業(yè)務(wù)利潤率持續(xù)下滑，SK海力士雖在HBM3E芯片市場保持領(lǐng)先，但面臨美光等對(duì)手的強(qiáng)勢(shì)追擊。這種技術(shù)瓶頸與市場壓力的雙重?cái)D壓，促使韓國企業(yè)重新審視與中國同行的競合關(guān)系。

專利版圖見證實(shí)力逆轉(zhuǎn)

中國半導(dǎo)體企業(yè)的技術(shù)積累正引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局質(zhì)變，集微咨詢發(fā)布的《2024年中國大陸半導(dǎo)體制造企業(yè)專利實(shí)力榜單》顯示，中芯國際、長鑫存儲(chǔ)、長江存儲(chǔ)、華虹宏力等企業(yè)名列前茅。在國際視野榜單中，長鑫存儲(chǔ)和長江存儲(chǔ)分別位列第一、第二位，其多元專利布局體現(xiàn)出積極參與國際行業(yè)進(jìn)步的戰(zhàn)略眼光。另據(jù)Mathys&Squire機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2023-2024年中國半導(dǎo)體專利申請(qǐng)量同比激增42%，達(dá)到46591件，增速遠(yuǎn)超韓國等傳統(tǒng)強(qiáng)國。

韓國科技評(píng)估院最新調(diào)查印證了這種趨勢(shì)逆轉(zhuǎn)：在存儲(chǔ)技術(shù)等15個(gè)關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域，中國已在11個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)反超。特別是在高集成存儲(chǔ)技術(shù)（94.1% vs 90.9%）等核心指標(biāo)上，中韓技術(shù)差距持續(xù)擴(kuò)大。

HBM防線遭遇多維沖擊

被視為韓國半導(dǎo)體"最后堡壘"的HBM領(lǐng)域正面臨中美企業(yè)的合圍。美光已向英偉達(dá)供應(yīng)8層HBM3E芯片，并計(jì)劃年內(nèi)同步SK海力士量產(chǎn)16層產(chǎn)品。值得關(guān)注的是，臺(tái)積電前董事長劉德音加入美光董事會(huì)，其技術(shù)決策與風(fēng)險(xiǎn)管控經(jīng)驗(yàn)或?qū)⒂绊懏a(chǎn)業(yè)競爭格局。近兩年面對(duì)激烈的市場競爭和復(fù)雜環(huán)境，美光頹勢(shì)不斷顯現(xiàn)，不僅在先進(jìn)制程上與臺(tái)積電等差距不斷拉大，更是在印度、墨西哥等地海外建廠上面臨地緣政治的風(fēng)險(xiǎn)，劉德音在技術(shù)革新與風(fēng)控方面是業(yè)內(nèi)的頂尖專家，然而在美光如此內(nèi)外交困的背景下加盟能否力挽狂瀾，仍有待時(shí)間的檢驗(yàn)。

中國企業(yè)的創(chuàng)新突破更添變數(shù)。深度求索（Deepseek）的實(shí)踐表明，AI模型可通過優(yōu)化算法在低規(guī)格HBM上實(shí)現(xiàn)高性能，這種技術(shù)路徑若形成趨勢(shì)，或?qū)?dòng)搖韓國高端HBM的市場根基。盡管當(dāng)前中國HBM技術(shù)仍處追趕階段，但在芯片設(shè)計(jì)、先進(jìn)封裝等配套領(lǐng)域的快速進(jìn)步，正為產(chǎn)業(yè)突破積蓄能量。

在這場全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變局中，中國企業(yè)展現(xiàn)出戰(zhàn)略定力，通過持續(xù)的技術(shù)積累和專利布局，不僅突破了外部技術(shù)封鎖，更在多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域形成反超態(tài)勢(shì)。對(duì)于韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，如何平衡技術(shù)合作與自主創(chuàng)新，在守住既有優(yōu)勢(shì)的同時(shí)開辟新賽道，將成為決定未來競爭地位的關(guān)鍵。而中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起軌跡，正為全球技術(shù)博弈提供新的注解。