CES2026上HBM4的最新進展

第六代HBM技術必將在人工智能設計領域掀起波瀾。

CES2026：高帶寬內存是現代人工智能系統（尤其是運行大規模訓練模型）的關鍵組件，也是2026年國際消費電子展（CES 2026）的焦點。美光、三星和SK海力士這三家內存廠商紛紛展示了他們的HBM4芯片。此次展會旨在宣告HBM4器件的成熟，該器件有望解決“內存墻”問題，從而突破人工智能擴展的瓶頸。

HBM4有望解決內存瓶頸問題——即數據處理速度超過內存向處理器傳輸數據能力所造成的瓶頸——它對高帶寬內存技術進行了迄今為止最重大的架構革新。HBM4專為下一代AI加速器和數據中心工作負載而設計，旨在顯著提升帶寬、效率和系統級定制能力。

HBM4 是第六代高帶寬內存技術，它不再只是簡單地提升速度，而是徹底重新設計了內存接口；它的性能幾乎是早期 HBM3 設備的三倍，而 HBM3 設備正是推動第一波生成式人工智能熱潮的動力。

HBM4是半導體技術的一次飛躍，正在改寫人工智能基礎設施的規則。（來源：SK海力士）

HBM4 代表了內存架構的又一次根本性變革，它將邏輯芯片集成到內存堆棧中，并將內存堆棧轉變為一個協處理器，可以在數據到達主 AI 處理器之前對其進行處理。這標志著純計算時代的終結，同時也將內存從被動存儲設備轉變為主動組件。

推動HBM4熱潮的主要因素是英偉達的Rubin GPU平臺，該平臺目前已投入生產，并定位為早期HBM4器件的首批獨家用戶。據報道，美光、三星和SK海力士已開始向英偉達交付HBM4樣品，并計劃于2026年開始量產HBM4芯片。

SK海力士亮相2026年國際消費電子展

在2026年國際消費電子展（CES）上，目前HBM領域的領導者SK海力士（占據全球超過50%的市場份額）發布了一款容量為48GB的16層HBM4器件。通過將DRAM堆疊至16層，該器件顯著提升了容量和速度，實現了超過2TB/s的帶寬。SK海力士計劃于2026年第三季度開始量產這些HBM4器件。

向16層HBM4堆疊結構的過渡帶來了巨大的工程挑戰。（來源：SK海力士）

SK海力士利用其專有的回流熔化成型底部填充（MR-MUF）技術，將單個DRAM晶圓減薄至驚人的30微米，以滿足JEDEC嚴格的775微米高度限制。MR-MUF技術能夠加熱并互連HBM產品中所有垂直堆疊的芯片，從而提高效率。

SK海力士16層HBM4器件的另一大亮點是，這家韓國存儲巨頭與臺積電合作，將12納米邏輯芯片集成到HBM4芯片的基礎芯片中，作為HBM4堆棧的控制邏輯或“大腦”。這種從內存節點到邏輯節點的轉變，有效地將HBM4轉變為一種可定制的內存解決方案，能夠針對特定的AI工作負載進行優化。

三星回來了

與SK海力士和臺積電合作生產HBM4邏輯芯片不同，三星在其4納米工藝節點上自行生產邏輯芯片，并在同一廠區內完成3D封裝。這使其成為唯一一家能夠提供從芯片到最終封裝全流程解決方案的HBM4供應商。

此外，與采用傳統MR-MUF技術制造16層HBM4的SK海力士不同，三星正加速推進混合鍵合技術。該工藝無需使用傳統的微凸塊，即可將銅焊盤直接熔合到銅上。它顯著降低了堆疊高度，提高了散熱性能，被業界視為應對下一代制造挑戰的長期解決方案。

然而，三星在HBM4領域最顯著的突破在于采用了1c DRAM工藝技術，據三星方面透露，該技術顯著提升了能效。這對于數據中心運營商而言至關重要，因為他們一直苦于應對功耗超過1000瓦的GPU所帶來的散熱難題。據TrendForce報道，三星已開始量產其1c DRAM，良率據稱已接近80%的量產目標。

在HBM技術落后于SK海力士之后，三星正試圖通過提升其DRAM和邏輯芯片技術來使其HBM4產品脫穎而出。（來源：三星）

雖然三星已交付英偉達Rubin AI 加速器的樣品，并且很可能比 SK 海力士和美光更早獲得認證，但它已經通過了博通針對谷歌最新一代 TPU 的系統級封裝 (SiP) 測試。因此，在過去幾年落后于 SK 海力士之后，三星正在從 HBM3e 的挫折中恢復過來。

HBM4內存戰爭

作為HBM三巨頭之一的美光科技，也已滿足英偉達Rubin AI加速器的HBM4規格要求，并已交付最終客戶樣品。這家總部位于愛達荷州博伊西的內存芯片制造商一直在積極擴大其12層、36GB HBM器件（采用2048位接口）的產能。該公司計劃到2026年底，HBM4晶圓的產能達到15000片。

與此同時，業內報道稱，英偉達在2025年第三季度修訂了其Rubin GPU的HBM4顯存規格，將單引腳速度要求提升至11Gbps以上。因此，美光、三星和SK海力士重新提交了HBM4樣品，并持續改進其設計以滿足英偉達更為嚴格的要求。

盡管如此，HBM4有望成為一項基礎性技術，它將決定人工智能加速器訓練下一代智能體人工智能模型的能力。難怪美光、三星和SK海力士這三家HBM廠商正將大量晶圓產能從傳統的DDR5和移動內存轉移到HBM領域。

進入2026 年，存儲器行業正密切關注美光、三星和 SK 海力士的 HBM4 器件的早期生產良率——2026 年很可能成為這些存儲芯片制造商的又一個里程碑式的年份。

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