巨頭搶灘，HBM4倒計時

2026年將是存儲巨頭又一個里程碑之年，而這場躍遷的核心賭注，落在了HBM4身上。

SK海力士在2025年財報會上宣布，其HBM4已于9月完成開發并啟動量產，2026年全面放量；三星在2026年新年致辭中直言：“我們的HBM4展現了真正的差異化競爭力，甚至有客戶感慨：Samsung is back。（三星回來了）”；美光則在2025年9月的電話會議中確認：HBM4將于2026年Q2正式量產出貨，下半年進入產能爬坡。

HBM4的量產沖刺，已在2026年初正式啟程。

01

HBM4，亮相

截至目前，美光、三星和SK海力士均已通過不同活動展示了各自的HBM4產品。

SK海力士：16層堆疊 + MR-MUF + 臺積電邏輯芯片

SK海力士正式展示了其新一代HBM4高帶寬內存，采用16層堆疊、容量達48GB。相比此前推出的12層36GB版本（曾以11.7Gbps的速率創下行業紀錄），新器件在容量和帶寬上均有明顯提升，整體帶寬突破2TB/s。

MR-MUF的優勢

實現16層堆疊的同時，還要滿足JEDEC對HBM封裝總高度不超過775微米的要求，這對制造工藝提出了極高挑戰。SK 海力士的一大亮點是其自研的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技術：通過將單顆DRAM晶圓減薄至僅30微米，并在一次回流焊過程中完成多層芯片的垂直互連，既提升了集成密度，也增強了結構穩定性。SK海力士16層HBM4器件的另一大亮點是，與臺積電合作將12納米邏輯芯片集成到HBM4芯片的基礎芯片中，作為HBM4堆棧的控制邏輯或“大腦”。

三星：1c DRAM + 混合鍵合 + 全流程自研

與SK海力士和臺積電合作生產HBM4邏輯芯片不同，三星是在自家4nm工藝上生產邏輯芯片，并且在同一廠區內完成3D封裝。三星是目前唯一在自有晶圓廠完成DRAM、邏輯芯片制造及3D封裝全鏈條的HBM4供應商。

封裝技術上，三星未采用MR-MUF，而是加速推進混合鍵合技術；同時，三星在HBM4 的另一個突破在于選擇采用1c DRAM工藝技術。三星的HBM3和HBM3e都是基于1a納米制程的DRAM，到了HBM4采用1c DRAM工藝技術以形成對SK海力士的競爭優勢。（SK海力士、美光目前仍采用1b DRAM工藝）。三星電子內情的相關人士透露，三星電子1c DRAM良率已接近60%，超過盈虧平衡點，為量產奠定基礎。

2025年底，三星已完成HBM4的量產準備認證（PRA），產品達到內部量產標準，正加速推進進入英偉達供應鏈的進程。在博通主持的技術性測試中，三星HBM4運行速度達到中低段11Gb/s水平，表現位列三大存儲廠商之首。

此外，三星計劃在2月舉行的ISSCC（國際固態電路會議）上發布一款更高性能的HBM4芯片。其首款36GB HBM4帶寬為2.4TB/s，新款產品帶寬預計將達3.3TB/s，較上一代提升37.5%。

美光：11Gb/s+ 自研CMOS基地芯片 + 臺積電邏輯芯片

美光財報

美光CEO桑杰·梅赫羅特拉在2025財年第四季度及全年財報中證實，公司新一代HBM4內存將于2026年推出，多項性能指標超越JEDEC基礎規范。

美光12層堆疊的HBM4正按計劃推進，以支持客戶平臺的擴展。近期，美光已向客戶交付HBM4樣品，其帶寬超過2.8TB/s，數據速率突破11Gb/s，處于行業領先水平。美光科技聲稱，新款HBM4產品在性能和效率方面將超越所有競爭對手。美光CEO表示：“我們成熟的1b DRAM、創新且節能的HBM4設計、自主研發的先進CMOS基地芯片以及先進的封裝技術，是成就這款一流產品的關鍵所在。”值得一提的是，美光的HBM4E將與臺積電合作生產邏輯芯片（對，和SK海力士類似），計劃會在2027年上市。

02

產能格局，分化加劇

主要DRAM供應商的DRAM晶圓加工能力（月產量，單位：千片）和TSV工藝晶圓加工能力（月產量，單位：千片）。所有數據截至年底。來源：2025年FMS會議論文集，TrendForce

據TrendForce預測，預計到2025年底，三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產量）分別為：三星電子65.5萬片，SK海力士54.5萬片，美光科技34萬片。其中，采用TSV工藝（HBM）的晶圓加工能力（月產量）預計分別為：三星15萬片，占DRAM總產量的23%；SK海力士15萬片，占28%；美光5.5萬片，占16%。

預計到2026年底，三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產量）分別為：三星67萬片，同比增長1.5萬片；SK海力士 60萬片，同比增長5.5萬片；美光36萬片，同比增長2萬片。其中，SK海力士的產能增長尤為顯著。

SK海力士采取“HBM3E+HBM4”雙代并行策略，在鞏固當前市場優勢的同時，全力沖刺下一代產品。目前已鎖定2026年全部DRAM與NAND產能的客戶需求，預計全年DRAM出貨量同比增長超20%，管理層判斷HBM供應緊張局面將持續至2027年。

美光對HBM市場的長期前景保持高度樂觀。其CEO在2025年底業績電話會上表示，預計2025年至2028年全球HBM總潛在市場（TAM）復合年增長率（CAGR）約為40%，規模將從350億美元增至1000億美元。為抓住這一窗口期，美光計劃今年將其HBM4產能提升至每月1.5萬片晶圓。

面對AI驅動的爆發性需求，三大廠商正以前所未有的力度推進產能建設。

03

全球布局加速

我們梳理一下各家存儲大廠的制造基地布局。

SK 海力士

SK 海力士目前在全球設有多個半導體生產基地，主要分布在韓國、中國和美國，從分布來看，最尖端的HBM和先進制程DRAM集中在韓國，成熟DRAM依賴中國無錫廠支撐，而美國工廠主攻先進封裝。

重點來看韓國這邊，SK海力士在利川有三家工廠：M10、M14和M16。M10工廠聚焦基礎DRAM和HBM晶圓制造，2025年完成產線改造（M10F），承擔HBM內存封裝任務；M14工廠與M16廠協同擴產，最新建成于2021年的M16工廠主要專注于生產DRAM產品。

在韓國清州地區，SK 海力士有M15工廠，主攻NAND閃存制造，是清州園區的核心生產設施。配套還有M15X工廠，是M15擴建計劃的一部分，生產HBM，2025年Q4投產，總投資20萬億韓元。

最新進展顯示，SK海力士已將M15X的量產時間從原定的2026年6月大幅提前至2026年2月，初期月產能約1萬片，目標到2026年底提升至5.5萬–6萬片。該廠將同時生產HBM3E與HBM4，并已通過1b DRAM工藝認證。值得注意的是，M15X還將為下一代HBM4E鋪路，未來將導入10nm級第六代（1c）DRAM技術。

此外，在清州地區SK海力士今年會投資19萬億韓元，建設一個P&T7工廠。主要面向HBM等AI內存的需求的先進封裝后端晶圓廠。這個晶圓廠占地面積7萬坪（約合 23.14 萬平方米），計劃于 2026 年 4 月開工建設，預計于2027 年底竣工。其將與SK 海力士的清州M15X DRAM 前端晶圓廠構成有機整體。

更長遠看，SK海力士在京畿道龍仁市啟動了規模空前的龍仁半導體集群項目，規劃四座大型晶圓廠，總投資高達600萬億韓元。首座工廠已于2025年2月動工，預計2027年5月投產。

在美國方面，SK 海力士在印第安納州準備建設一個先進封裝中心，投資38.7億美元，負責半導體產品的封裝和測試，計劃于2028年下半年開始運營。

在中國有兩家工廠，一家在無錫、一家在重慶。其中無錫廠是SK海力士的存儲芯片生產主力之一，占其全球DRAM總產量的30%–40%。目前該廠12英寸晶圓月產能達18萬–19萬片，已升級至1a工藝。

三星

三星在美國和韓國都有工廠。韓國這邊，華城工廠位于京畿道華城市，是三星在韓國的重要存儲芯片生產基地，主要生產DRAM和NAND Flash存儲芯片。器興（Giheung）工廠是三星早期建立的晶圓廠，主要生產成熟工藝節點的存儲芯片及相關半導體產品，支持從350納米到8納米的工藝，為三星存儲業務提供基礎產能支持。平澤工廠是三星存儲業務的戰略核心。該基地已建成P1至P4晶圓廠，并正在重啟P5建設（預計2028年投產）。其中，P4工廠被明確指定用于1c DRAM的量產，計劃用于HBM4等高端存儲產品。

同時，三星在美國有奧斯汀和泰勒晶圓廠，奧斯汀主要生產65nm至14nm邏輯芯片，產品應用于移動設備、通信等領域；泰勒專注于先進制程芯片生產，準備生產特斯拉AI6芯片（預計基于2nm工藝）。

據韓國《每日經濟新聞》報道，英偉達團隊已訪問三星，通報了HBM4系統級封裝（SiP）的測試結果。結果顯示，三星HBM4在運行速度與功耗效率兩大核心指標上，表現優于所有競爭對手。“與HBM3E時期不同，我們在HBM4開發上處于領先地位，”一位三星內部人士表示。

據悉，三星正綜合評估平澤P4產線的擴產進度與交付能力，計劃于2026年第一季度敲定最終供應合同，并于第二季度啟動正式量產交付。

美光

前兩天，美光全球運營執行副總裁Manish Bhatia在接受采訪時表示：“我們當前看到的短缺情況，確實是前所未有的。”

Bhatia在最新的講話中指出，用于人工智能加速器的HBM（高帶寬存儲）“消耗了整個行業大量可用產能，導致傳統行業領域，例如智能手機和個人電腦，出現巨大的供給缺口”。

在HBM的巨大需求下，美光同樣也在瘋狂擴產。美光的HBM工廠分布在新加坡、日本、美國，其中大多都是新建工廠。

去年年初，美光就在新加坡投資70億美元，準備建設一家專門的HBM先進封裝工廠。這個工廠原計劃是2026年開始運營，并且從2027年開始擴大美光的先進封裝總產能。

后來，美光又宣布在日本建廣島工廠，這家則是專門生產HBM芯片。工廠在2025年5月正式動工，預計2028年左右實現HBM芯片的規模化出貨。該工廠將采用先進制程技術，是美光自2019年以來規劃的首個新生產基地。當然，日本政府說要給美光的新工廠提供最多5,360億日元的補貼（約合人民幣259億元）。

之前，美光承諾將其40%的DRAM制造產能轉移到美國本土。

在美國，美光投資了1000億美元建設的大型晶圓廠綜合體，規劃四座晶圓廠，其中兩座已動工，預計2030年開始投產。今年1月，美光在紐約州奧農多加縣為其晶圓廠舉行正式開工儀式。之前美光還宣布，還會在自家總部的愛達荷州博伊西市建設第二座內存制造工廠，提升美國國內半導體生產和研發能力。

從新建工廠來看，進程在明后年才能實現投產。面對當下的生產需求，美光決定直接買工廠。也就是最近宣布的，以18億美元現金收購力積電苗栗銅鑼P5晶圓廠，交易預計于2026年第二季完成。

在銅鑼廠之前，美光已收購AUO臺南廠2座、AUO Crystal在臺中的廠房，以及Glorytek的臺中廠房，作為Wafer Probe（晶圓測試）、Metallization （金屬化）、HBM TSV等各項用途。此外，美光還規劃將部分新加坡NAND Flash無塵室改用于DRAM Metallization。

值得一提的是，雖然SK海力士和美光都在積極擴張產能，但三星的擴張步伐卻顯得較為謹慎。據TrendForce預測，預計到2026年底，三星的TSV工藝（HBM）晶圓加工能力（月產量）將與去年持平，為15萬片；SK海力士的產能將同比增長5萬片，達到20萬片；美光的產能將同比增長4.5萬片，達到10萬片。