Yole：為何在AI時代，DRAM價格仍在持續上漲？

隨著超大規模數據中心重塑存儲市場規則，供需緊張或將持續至 2027 年。

中國長鑫存儲（CXMT）正在擴充產能

面向 AI 數據中心的服務器 DRAM 強勁需求，正在推動整個存儲市場的價格上漲。在對未來可能出現短缺的擔憂下，客戶紛紛搶購產能，以保障自身的量產需求。

DRAM 市場已進入由 AI 驅動的上行周期。自 2025 年第三季度以來，超大規模數據中心大量吸收供給，持續推高價格。由于 AI 服務器單機所需的 DDR5（以及 HBM）容量遠高于傳統服務器，PC、智能手機等其他終端市場的存儲供應也隨之趨緊。

在這一背景下，Yole Group 存儲與計算業務總監 John Lorenz 指出，當前價格波動的一個關鍵驅動因素是：對未來稀缺性的恐懼。隨著 DRAM 廠商優先布局利潤率更高的 HBM 和服務器級 DDR5，其他細分市場往往采取防御性策略，提前采購，從而放大短缺效應并進一步推高現貨價格。

圖片來源：《DRAM Market Monitor, Q4 2025》- Yole Group

Yole Group 的存儲業務持續跟蹤整個價值鏈的結構性變化，涵蓋 DDR5、LPDDR、HBM 等技術路線圖，以及產能布局、定價機制和終端市場需求。基于多位頂級存儲專家的洞察，Yole Group 相關研究量化分析了超大規模客戶行為、制造限制以及晶圓廠漫長的建設周期如何可能在 2027 年之前持續造成市場緊張和高位價格。這也將是未來幾年存儲市場的重要主題。

最新一輪價格上漲始于 2025 年第三季度，當季 DRAM 價格環比上漲 13.5%。盡管 DRAM 市場歷來波動較大，歷史上曾出現 15%–20% 的季度價格變化，但此次上漲是在 2023 年至 2024 年底、2025 年初強勁復蘇的基礎之上發生的。彼時，市場一度認為周期已觸頂并即將進入下行階段。然而，來自企業財報的早期信號顯示，2025 年第四季度 DRAM 價格可能又上漲了約 30%。

John Lorenz

Yole Group 存儲與計算業務總監

"如果你是一家想要生產新款智能手機或 PC 的公司，你就需要 DRAM。如果你看到大量產能正在轉向服務器市場，你自然會擔心自己的供貨能力，于是會嘗試采購超過實際需求的數量……這是一種心理效應。正是對未來稀缺的擔憂，推動了當下的價格變化。"

用于服務器的 DDR5 現貨價格在部分情況下已上漲高達 100%。PC 廠商已開始感受到沖擊：惠普（Hewlett Packard）和戴爾（Dell）警告稱，明年可能會從產品線中移除部分筆記本型號，原因要么是 DRAM 成本過高，要么是擔心無法獲得足夠的供應。

AI 基礎設施正在重塑 DRAM 需求曲線

供需失衡的核心在于 AI 基礎設施建設。數據中心運營商正大規模采購 AI 加速器，同時也需要大量通用服務器來支撐其運行。AI 加速器主要依賴高帶寬存儲（HBM），而主機服務器則消耗大量標準 DDR5。

一臺配置了 8 顆 AI 加速器（每顆配備 200GB HBM）的 AI 服務器，包含約 1.6TB 的 HBM，以及 約 3TB 的 DDR5。相比之下，一臺 2025 年典型的非 AI 服務器，其 DRAM 總容量通常不足 1TB。單機存儲容量的快速增長，正在明顯超出供給能力。

HBM 進一步扭曲了市場格局。相比 DDR5，HBM 擁有顯著更高的價格和利潤率，使得廠商有著強烈動力優先布局該產品。按單位容量計算，HBM 的生產所需晶圓數量最高可達 DDR5 的四倍，這意味著一旦產能向 HBM 傾斜，傳統服務器內存的可用產能就會相應被擠壓。

這一影響正向其他終端市場蔓延。汽車應用通常使用 LPDDR4 和 LPDDR5，與智能手機、平板和筆記本電腦使用的存儲類型相同。盡管汽車仍是存儲廠商的重要戰略市場，尤其是隨著自動駕駛的發展，對存儲需求不斷增加，廠商不太可能中斷供應，但它們確實掌握了更強的議價能力，能夠向汽車客戶收取更高價格。

John Lorenz 表示：“

由于 LPDDR 的制造工藝中，大約 80% 與 DDR 相同，產能在一定程度上是可互換的。如果 DRAM 廠商更有動力為 AI 服務器客戶生產 DDR5 和 HBM，那么 LPDDR 的供應同樣會受到影響。

這一市場動態也有助于解釋美光（Micron）逐步收縮其 Crucial 消費級業務等戰略舉措，反映出公司正將重心轉向利潤率更高、由 AI 驅動的需求，而非直接面向消費者的產品。

在數據中心之外，智能手機約占全球 DRAM 位需求的 25%，PC 約占 10%–11%。除手機和 PC 外的消費電子產品（如游戲設備、可穿戴設備）占約 6%。汽車約占 5%，工業、醫療和軍工合計約 4%。

數據中心則占據了約 50% 的 DRAM 位需求。其中，僅 AI 工作負載就占總需求（含 HBM 與非 HBM）的約 30%，對價格形成了極強的影響力。

超大規模客戶正在主導 DRAM 定價

歷史經驗表明，DRAM 周期的反轉往往來得很快。2014–2016 年間，由于需求停滯，DRAM 價格下跌，促使以中國廠商為代表的安卓智能手機廠商通過提升單機存儲容量來競爭。這一額外需求消化了過剩產能并推高價格，直到成本壓力擠壓利潤，廠商才放緩容量增長或轉向低配機型。

但這一次，價格上漲后需求回落的“自我修復機制”尚未出現。超大規模客戶和服務器廠商對價格的敏感度遠低于消費電子廠商。為了在 AI 競賽中保持競爭力，他們愿意支付更高價格來確保 DRAM 供應，從而使高價狀態持續，影響整個市場。

在供給方面，緩解壓力受到結構性限制。建設或擴建一座 DRAM 晶圓廠通常需要 2–3 年 才能實現規模化量產。2026 年將有部分增量供給釋放，但規模有限。

中國的長鑫存儲（CXMT）正在擴充產能，但主要面向國內市場，其產品布局和客戶結構與國際頭部客戶的需求重點仍存在一定差異。三星在其 P4 工廠新增設備，但優先用于 HBM 而非通用 DRAM。SK 海力士的 M15X 工廠預計將在 2026 年下半年開始貢獻產量，并在 2027 年形成更具規模的供給；美光位于博伊西（Boise）的新廠也預計在 2027 年投產。

在此之前，只有當智能手機和 PC 廠商放緩單機存儲容量增長，或 AI 基礎設施投資出現降溫，價格壓力才可能在大規模新增產能到來之前得到緩解。

隨著 AI 基礎設施持續重塑存儲需求結構，DRAM 價格將長期成為整個電子產業生態的關鍵觀察點，影響遠不止數據中心。理解技術演進、產能分配以及超大規模客戶采購策略之間的相互作用，是把握各終端市場風險與機遇的關鍵。

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