SK海力士發表HBF與HBM混合架構，高“設備”含量的科創半導體ETF（588170）近5天合計“吸金”1.21億元

截至2月12日11:06，上證科創板半導體材料設備主題指數下跌0.34%。成分股方面漲跌互現，歐萊新材領漲18.32%，晶升股份上漲2.72%，上海合晶上漲1.6%；耐科裝備領跌3.38%，興福電子下跌2.82%，中微公司下跌1.99%。科創半導體ETF（588170）下跌0.45%，最新報價1.75元。

截至2月12日11:08，中證半導體材料設備主題指數下跌0.12%。成分股方面漲跌互現，江豐電子領漲8.56%，廣立微上漲5.79%，晶升股份上漲3.03%；拓荊科技領跌1.96%，京儀裝備下跌1.87%，華峰測控下跌1.84%。半導體設備ETF華夏（562590）下跌0.16%，最新報價1.9元。

流動性方面，科創半導體ETF盤中換手4.25%，成交3.45億元；半導體設備ETF華夏盤中換手2.25%，成交6131.29萬元。

規模方面，科創半導體ETF近1周規模增長2.05億元，實現顯著增長，新增規模領先同類；半導體設備ETF華夏最新規模達27.06億元。

資金流入方面，科創半導體ETF最新資金凈流入1058.84萬元。拉長時間看，近5個交易日內有3日資金凈流入，合計“吸金”1.21億元，日均凈流入達2412.91萬元；半導體設備ETF華夏最新資金凈流出2666.79萬元。拉長時間看，近23個交易日內有16日資金凈流入，合計“吸金”12.46億元，日均凈流入達5418.13萬元。

消息面上，SK海力士近日通過發表在IEEE（電氣與電子工程師協會）全球半導體大會上的論文，提出了一種新型半導體結構。該結構采用了HBM和HBF兩種技術，公司將8個HBM3E和8個HBF置于英偉達Blackwell旁進行實驗，結果表明，與單獨使用HBM相比，這種配置可以將每瓦計算性能提升高達2.69倍。

興業證券指出，當前先進封裝產業的核心瓶頸在于大尺寸硅中介層與TSV等精密工藝的制造難度大、良率爬坡周期長，同時高端封裝設備與材料的國產化率仍然較低，這使得產能與技術迭代速度成為制約國產高端算力芯片落地放量的關鍵因素。在AI算力需求爆發與供應鏈自主可控的雙重驅動下，產業具備明確且持續的成長空間。

相關ETF：公開信息顯示， 科創半導體ETF（588170）及其聯接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創板半導體材料設備主題指數，囊括科創板中半導體設備（60%）和半導體材料（25%）細分領域的硬科技公司。 半導體設備和材料行業是重要的國產替代領域，具備國產化率較低、國產替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導體需求，擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術進展。

半導體設備ETF華夏（562590）及其聯接基金（A類：020356；C類：020357），指數中半導體設備（63%）、半導體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導體上游。