三星表示內存強勁需求料持續到2027年，高“設備”含量的科創半導體ETF（588170）近1周規模增長2.05億元

截至2月12日10:16，上證科創板半導體材料設備主題指數下跌0.49%。成分股方面漲跌互現，歐萊新材領漲11.69%，晶升股份上漲1.78%，神工股份上漲1.27%；耐科裝備領跌3.25%，中微公司下跌1.83%，興福電子下跌1.78%。科創半導體ETF（588170）下跌0.51%，最新報價1.75元。

截至2月12日10:18，中證半導體材料設備主題指數下跌0.46%。成分股方面漲跌互現，江豐電子領漲5.82%，廣立微上漲3.29%，金海通上漲2.94%；中微公司領跌2.09%，華峰測控下跌1.83%，中科飛測下跌1.33%。半導體設備ETF華夏（562590）下跌0.47%，最新報價1.89元。

流動性方面，科創半導體ETF盤中換手2.6%，成交2.12億元；半導體設備ETF華夏盤中換手1.75%，成交4763.55萬元。

規模方面，科創半導體ETF近1周規模增長2.05億元，實現顯著增長，新增規模領先同類；半導體設備ETF華夏最新規模達27.06億元。

資金流入方面，科創半導體ETF最新資金凈流入1058.84萬元。拉長時間看，近5個交易日內有3日資金凈流入，合計“吸金”1.21億元，日均凈流入達2412.91萬元；半導體設備ETF華夏最新資金凈流出2666.79萬元。拉長時間看，近23個交易日內有16日資金凈流入，合計“吸金”12.46億元，日均凈流入達5418.13萬元。

消息面上，三星預計，市場對內存芯片的強勁需求不僅將持續今年全年，而且還將持續到明年，因為人工智能推動了強勁的需求。三星還重點強調，公司的HBM4芯片顯示出“良好的”制造良率，客戶對其性能表示非常滿意。據報道，三星計劃在本月晚些時候開始HBM4的大規模生產并將其交付給主要客戶。其HBM4芯片使用其1c工藝（第六代10納米級DRAM技術）制造DRAM單元芯片，同時使用4納米工藝制造基板芯片。基于這些技術，三星的HBM4芯片實現了高達每秒11.7Gbps的數據處理速度，超過了聯合電子器件工程委員會規定的8Gbps標準。

銀河證券指出，1月存儲市場延續2025年四季度以來的強勢上漲態勢，DRAM和NAND閃存價格漲幅持續超預期。三星電子、SK海力士等頭部廠商一季度合約價大幅上調，其中NAND閃存供應價格上調超100%，DRAM價格漲幅達60%～70%。漲價核心驅動因素包括：AI服務器對HBM需求爆發、數據中心資本開支加碼、產能結構性調整等，供需缺口持續擴大，預計本輪漲價周期將延續至2026年中。

相關ETF：公開信息顯示， 科創半導體ETF（588170）及其聯接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創板半導體材料設備主題指數，囊括科創板中 半導體設備（60%）和半導體材料（25%）細分領域的硬科技公司。 半導體設備和材料行業是重要的國產替代領域，具備國產化率較低、國產替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導體需求，擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術進展。