河南
快科技2月12日消息，據媒體報道，三星日前宣布，已正式啟動HBM4內存的量產，并同步向客戶交付商用產品。
這是業界首次將4nm制程的基礎裸片與1cnm級別DRAM工藝相結合，從量產初期即實現穩定良率與領先性能，無需額外設計調整，為三星在HBM4市場早期階段確立了技術主導地位。
三星表示，此次HBM4并未沿用既有成熟設計方案，而是基于自身工藝與設計優化能力，在制程節點上邁出關鍵一步，為后續性能拓展預留充足空間，能夠快速響應客戶不斷提升的計算需求。
速率方面，三星HBM4已實現11.7Gbps的數據傳輸速率，較行業標準的8Gbps提升約46%，相較前代HBM3E的最高速率9.6Gbps亦高出22%，刷新HBM4性能標桿。
三星同時具備將速率進一步提升至13Gbps的能力，有助于緩解大模型持續擴展帶來的數據瓶頸壓力。單堆?？們却鎺捵罡呖蛇_3.3TB/s，達到HBM3E的2.7倍。
容量配置上，三星HBM4通過12層堆疊技術提供24GB至36GB的容量組合，未來將引入16層堆疊技術，將單堆棧容量擴展至48GB。
伴隨接口位寬翻倍至2048位，功耗與散熱挑戰隨之而來。三星將低功耗設計直接集成于核心芯片，采用低電壓硅通孔技術與電源分配網絡優化方案，使HBM4功耗效率較前代提升40%，熱阻降低10%，散熱能力提升30%。
憑借在性能、能效與可靠性層面的綜合提升，三星HBM4為數據中心環境提供了更優的GPU吞吐量支撐，并助力客戶有效控制總體擁有成本。
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