行業首個，三星電子啟動HBM4內存量產并向客戶交付商用產品

IT之家 2 月 12 日消息，北京時間今天下午，三星電子通過新聞稿宣布：HBM4 內存現已啟動量產，并向客戶交付商用產品。

IT之家獲悉，三星據此成為業內首家實現 HBM4 商業化交付的企業。

根據官方介紹，三星此次直接采用第六代 10nm 級 DRAM 工藝（1c），并結合 4nm 邏輯制程，從量產初期便實現穩定良率與行業領先性能，且無需額外重新設計。

三星電子執行副總裁兼存儲開發負責人黃相俊（音譯）表示，公司并未沿用既有成熟設計，而是選擇在 HBM4 上直接采用 1c DRAM 與 4nm 邏輯工藝。憑借制程優勢與設計優化能力，公司預留了充足性能空間，可在客戶需要時滿足其不斷升級的高性能需求。

性能方面，HBM4 穩定處理速度達到 11.7Gbps，較行業主流水平 8Gbps 高出約 46%，相比上一代 HBM3E 最高 9.6Gbps 提升約 1.22 倍。最高性能可擴展至 13Gbps，以應對 AI 模型規模擴大帶來的數據瓶頸問題。單堆棧內存帶寬提升至最高 3.3TB/s，較 HBM3E 提高 2.7 倍。

三星通過 12 層堆疊技術提供 24GB 至 36GB 規格，并計劃通過 16 層堆疊技術將容量擴展至 48GB，以匹配客戶未來需求節奏。

針對 I/O 引腳數量從 1024 增加至 2048 所帶來的功耗與散熱壓力，三星在核心芯片中整合了低功耗設計。相比 HBM3E，HBM4 功耗效率提升 40%，熱阻提升 10%，散熱性能提升 30%，核心技術包括低電壓 TSV 方案與 PDN 優化。

三星表示，HBM4 在性能、能效與可靠性方面的提升，將幫助數據中心客戶提高 GPU 吞吐能力，并優化整體擁有成本。

在制造層面，三星將依托 DRAM 產能與專用基礎設施，確保 HBM4 需求增長下的供應鏈穩定。

三星還計劃擴大與全球 GPU 廠商及超大規模數據中心客戶的合作，重點圍繞下一代 ASIC 產品開發。

公司預計，2026 年 HBM 銷售規模將較 2025 年增長超過三倍，并加速擴充 HBM4 產能。HBM4E 預計將在 2026 年下半年啟動送樣，定制 HBM 樣品將于 2027 年根據客戶規格陸續交付。