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FD-SOI 工藝技術
歐洲最大的集成器件制造商 (IDM) 之一意法半導體發(fā)布了新MCU產品“STM32V8”。
該產品是意法半導體與三星電子聯合開發(fā)了10多年的FD-SOI(全耗盡絕緣體上硅)技術的又一次飛躍,達到了18nm工藝水平。
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2000年代以來,一直占據全球MCU市場主導地位的ST通過推出新工藝和Arm的最新架構,專為工業(yè)設備、可穿戴設備、機器人和航天工業(yè)設計的新型STM32V8,鞏固領先地位。
ST韓國GPM事業(yè)部重點介紹了Arm設計的高通用性、通過改進工藝提升的存儲密度以及超低功耗等優(yōu)勢。
“為了應對MCU市場的變化,ST推出了具有增強型低功耗設計和AI處理能力的加速器,適用于工業(yè)、機器人、家用電器和可穿戴設備等領域。”
隨著設備端AI重要性的日益提升,MCU對計算性能的要求也越來越高。
2014年以來,ST一直在與合作伙伴共同研發(fā)28nm FD-SOI工藝。
此次工藝進一步優(yōu)化至18nm,全面提升了芯片的密度、能效和性能。
FD-SOI工藝采用極薄的絕緣層來防止漏電,從而能夠制造出超低功耗、低發(fā)熱的芯片。
18nm FD-SOI工藝的推出,高密度設計成為可能,使得各種數字IP能夠集成到小型芯片中,NAND閃存的封裝容量不僅提升了2.5倍,而且工藝本身的優(yōu)勢也已得到驗證,包括高能效和在惡劣環(huán)境下的可用性。
ST將工業(yè)和機器人市場確定為STM32V8的主要目標市場。
計劃從這款產品開始,推出更多針對需要人工智能推理領域的產品,對高性能、高穩(wěn)定性、低功耗的MCU的需求不斷增長,例如在機器人領域,這款芯片是滿足需求的最佳選擇。
預計三星晶圓代工部門將獲得相當大的份額,具體比例取決于市場需求。
28nm FD-SOI工藝已經證明了長期生產的穩(wěn)定性,向18nm工藝的過渡也進展順利。
兩家公司將共同提高新工藝的良率和生產效率,增強盈利能力。
來源:閃德資訊
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