PC鮮辣報(bào)：美光解鎖PCIe 6.0SSD、英特爾ZAM內(nèi)存首秀

上一周，全球硬件領(lǐng)域依舊在內(nèi)存領(lǐng)域迎來煥新，美光、英特爾、AMD三大巨頭接連放出重磅消息。從面向數(shù)據(jù)中心的前沿存儲(chǔ)技術(shù)量產(chǎn)，到下一代內(nèi)存的全球首秀，再到消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)因配件漲價(jià)引發(fā)的老平臺(tái)逆襲，既展現(xiàn)了AI算力驅(qū)動(dòng)下的硬件技術(shù)升級(jí)方向，也映射出供需關(guān)系對(duì)消費(fèi)市場(chǎng)的影響以及消費(fèi)者真正的核心需求。

美光量產(chǎn)全球首款PCIe 6.0 SSD，28GB/s速度刷新行業(yè)紀(jì)錄

上一周，美光科技正式宣布量產(chǎn)全球首款面向數(shù)據(jù)中心的PCIe Gen6存儲(chǔ)——9650 NVMe SSD，這標(biāo)志著SSD行業(yè)正式邁入PCIe Gen6時(shí)代。該產(chǎn)品以28GB/s的順序讀取速度、14GB/s的順序?qū)懭胨俣群?.5M IOPS的隨機(jī)讀取性能刷新行業(yè)紀(jì)錄，相較前代9550 SSD，其順序讀取速度提升100%、順序?qū)懭胨俣忍嵘?0%，能效最高可提升2倍，成為目前全球速度最快的數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤。

這款SSD基于美光垂直整合架構(gòu)打造，搭載業(yè)界首款應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心SSD的第九代G9 NAND閃存，采用六平面架構(gòu)，擁有3.6GB/s的超高IO速率。產(chǎn)品提供E1.S和E3.S兩種外形尺寸，其中E1.S版本適配液冷方案，可與頂級(jí)液冷系統(tǒng)無縫集成，提升數(shù)據(jù)中心散熱效率。在產(chǎn)品布局上，9650 SSD分為PRO和MAX兩大系列，PRO系列面向讀取密集型場(chǎng)景，支持每日1次全盤寫入，容量涵蓋7.68TB、15.36TB、30.72TB；MAX系列適配混合應(yīng)用場(chǎng)景，支持每日3次全盤寫入，容量為6.4TB、12.8TB、25.6TB，精準(zhǔn)匹配AI訓(xùn)練、推理等不同數(shù)據(jù)中心需求。

作為AI算力的核心存儲(chǔ)支撐，9650 SSD能有效消除AI工作負(fù)載中的數(shù)據(jù)瓶頸，保障GPU持續(xù)高效運(yùn)行，同時(shí)其低功耗特性也十分符合新一代數(shù)據(jù)中心的需求。目前該產(chǎn)品已開始向企業(yè)客戶批量供貨，預(yù)計(jì)2026年Q3將全面普及，還將繼續(xù)推動(dòng)PCIe 6.0生態(tài)成熟，加速服務(wù)器、主板等硬件廠商的技術(shù)跟進(jìn)。

鮮辣酷評(píng)：這邊漲價(jià)還沒結(jié)束，美光憑首款量產(chǎn)PCIe 6.0 SSD率先占位AI存儲(chǔ)賽道，新內(nèi)存解決方案的出現(xiàn)是否意味著內(nèi)存漲幅周期的結(jié)束？

英特爾展示ZAM內(nèi)存原型，功耗大降試圖打破HBM壟斷

在Intel Connection Japan 2026活動(dòng)上，英特爾與軟銀旗下子公司Saimemory合作研發(fā)的ZAM（Z-angle memory，Z角內(nèi)存）技術(shù)原型完成全球首秀，這是英特爾自1985年退出DRAM市場(chǎng)后，首次以自研內(nèi)存原型重回大眾視野。

ZAM內(nèi)存的核心突破在于架構(gòu)設(shè)計(jì)，其摒棄傳統(tǒng)內(nèi)存的垂直布線模式，采用交錯(cuò)互連拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)芯片堆疊內(nèi)部的對(duì)角線“Z字形”布線，搭配銅-銅混合鍵合技術(shù)讓芯片層間高效融合；同時(shí)結(jié)合無電容設(shè)計(jì)與英特爾成熟的EMIB互連技術(shù)，既實(shí)現(xiàn)了與AI芯片的高速連接，又大幅降低芯片熱阻，散熱成為其核心優(yōu)勢(shì)。相較目前AI領(lǐng)域主流的HBM內(nèi)存，ZAM內(nèi)存單芯片最高容量可達(dá)512GB，功耗降低40%-50%，能精準(zhǔn)解決AI數(shù)據(jù)中心高能耗的需求，且Z形互連設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了制造工藝流程，為后續(xù)規(guī)模化量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

ZAM技術(shù)并非臨時(shí)研發(fā)的PPT技術(shù)，而是源于美國能源部的AMT先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)項(xiàng)目，經(jīng)過了四家國家實(shí)驗(yàn)室的四年技術(shù)驗(yàn)證，英特爾已完成功能完整的測(cè)試組件研發(fā)。按照規(guī)劃，該技術(shù)將于2027年推出優(yōu)化原型，2029年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。不過ZAM內(nèi)存要從HBM的市場(chǎng)分一杯羹，仍需跨過關(guān)鍵門檻，核心在于能否獲得英偉達(dá)等AI行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)的采納，以及后續(xù)能否完成成熟的生態(tài)建設(shè)。

鮮辣酷評(píng)：英特爾掏出ZAM殺了DRAM一手回馬槍，ZAM50%的功耗降幅切中AI數(shù)據(jù)中心最大痛點(diǎn)，市場(chǎng)總有辦法適應(yīng)周期增長(zhǎng)的各種波動(dòng)。

受DDR5價(jià)格暴漲影響，AMD AM4老平臺(tái)持續(xù)走熱

根據(jù)上一周的市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，受DDR5內(nèi)存價(jià)格大幅飆升的影響，AMD經(jīng)典的AM4平臺(tái)再度走熱，基于Zen3架構(gòu)的R7 5800X/XT系列處理器成為銷量黑馬，在多個(gè)渠道的銷量反超當(dāng)代旗艦R7 7800X3D，上演了老平臺(tái)逆襲的市場(chǎng)好戲。

此次DDR5內(nèi)存漲價(jià)并非局部波動(dòng)，而是受AI算力爆發(fā)式需求、頭部廠商主動(dòng)控產(chǎn)能、渠道搶貨補(bǔ)庫存及產(chǎn)業(yè)鏈成本上行四大因素疊加影響，2026年Q1全球DDR5合約價(jià)環(huán)比暴漲80%-95%，消費(fèi)端內(nèi)存條渠道價(jià)同步大幅上漲，讓不少玩家根本無力承受，轉(zhuǎn)而選擇搭載DDR4內(nèi)存的AM4平臺(tái)。而AMD R7 5800X3D、5700X3D等熱門游戲處理器的停產(chǎn)，讓5800X/XT成為Zen3產(chǎn)品線中僅存的8核16線程選擇，進(jìn)一步推高了其市場(chǎng)需求。

從銷售數(shù)據(jù)來看，亞馬遜美國站R7 5800XT月銷量近3000套，遠(yuǎn)超R7 7800X3D的1000套；德國零售商Mindfactory的周銷榜上，5800X以120套的銷量與7800X3D并列亞軍，僅次于R7 9800X3D。除5800X/XT外，R5 5500、R7 5700X等其他Zen3型號(hào)同樣表現(xiàn)強(qiáng)勁。其中R7 5800XT發(fā)布于2024年，采用臺(tái)積電7nm工藝打造，頻率達(dá)3.8~4.8 GHz，配備32 MB三級(jí)緩存，支持105W TDP，兼容X570、B550等多款A(yù)M4主板，兼具性能與兼容性。AM4平臺(tái)的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，讓發(fā)布多年的Zen3處理器在性價(jià)比維度上反超新一代銳龍7000/9000系列旗艦。

鮮辣酷評(píng)：DDR5價(jià)格暴漲成了AM4平臺(tái)的回春丹，管你新旗艦漲價(jià)多少，老款Zen3處理器憑性價(jià)比依舊吊打新一代旗艦，在消費(fèi)者眼里追求的永遠(yuǎn)都是性價(jià)比。

（文中圖片來源于網(wǎng)絡(luò)）