集體大漲！剛剛，利好突襲！芯片，大消息

數據是個寶

投資少煩惱

今日（2月12日），在韓國股票市場上，芯片股集體走強。三星電子漲超6%，股價再創歷史新高；SK海力士漲超3%，逼近數天前創下的歷史高點。

市場分析人士指出，多則利好消息，刺激了芯片股大漲：一是，OpenAI、三星電子和SK海力士正籌備于3月在韓國啟動數據中心建設；二是，三星電子表示，已啟動“業界首款”HBM4芯片的量產，并已向客戶交付了商業產品；三是，隔夜美光科技股價大漲近10%，提振了市場對芯片股的信心。

當天，在A股市場上，存儲芯片概念股也集體異動。截至下午收盤，石英股份、博杰股份漲停，協創數據漲超15%，江豐電子漲超10%，炬光科技、廣立微漲超9%，佰維存儲、德邦科技、燦芯股份等漲超7%。

盤后，華虹半導體在港交所公告，公司2025年第四季度銷售收入再創歷史新高，達6.599億美元，同比增長22.4%，環比增長3.9%。毛利率13.0%，同比上升1.6個百分點，環比下降0.5個百分點。母公司擁有人應占利潤1750萬美元，上年同期為虧損2520萬美元。公司預計2026年第一季度銷售收入約在6.5億美元至6.6億美元之間，毛利率約在13%至15%之間。

芯片巨頭大漲

今日，韓國股市高開高走。截至收盤，Kospi指數漲幅超過3%，并突破5500點關口，再創歷史新高。

芯片股集體大漲，三星電子漲超6%，再創新高，總市值突破1000萬億韓元。韓美半導體漲近10%，SK海力士漲3.26%。

隔夜，美股存儲概念集體走強，閃迪漲超10%，美光科技漲9.94%。美光科技首席財務官 Mark Murphy在周三舉行的一場會議上表示，其HBM4已進入量產，整體進度好于預期，并開始供貨給客戶。同日，摩根士丹利將美光科技目標價從350美元上調至450美元。

今日（2月12日），三星電子表示，已開始第六代高帶寬內存（HBM4）的首次商業發貨，成為全球首家將這種最先進芯片商業化的公司。此次發貨時間比市場預期提前了一周。三星電子表示，這種內存可為人工智能（AI）計算提供“極致性能”。

三星電子稱，此次發貨將使該公司能夠“在HBM4市場中搶占早期領先地位”。該公司補充道：“在HBM4成功推向市場之后，HBM4E的樣品采集工作預計將于2026 年下半年開始，而定制的HBM樣品也將按照各自規格于2027年開始交付給客戶。”與上一代產品相比，采用新型HMB4芯片的“單個堆棧總內存帶寬提升了2.7倍”。

日前，三星電子在韓國半導體展高調展示其進軍下一代人工智能內存領域的戰略，重點強調客戶對第六代高帶寬內存（HBM4）的積極反饋，并公布升級版先進封裝技術路線圖。

三星電子首席技術官昨日（2月11日）表示，HBM4獲得的客戶反饋“非常令人滿意”，并透露公司計劃本月啟動該產品的大規模量產出貨。據悉，三星電子與SK海力士預計將向英偉達即將推出的Vera Rubin AI加速器平臺供應HBM4。新一代內存芯片數據傳輸速率達11.7Gbps，超越英偉達11Gbps的技術要求，創下行業新標桿。

三星電子首席技術官Song Jai-hyuk表示，公司集內存、晶圓代工和先進封裝于一體的垂直整合架構，使其能夠快速響應AI市場需求。他補充稱，包括HBM4E和HBM5在內的下一代產品已進入研發階段。

在主旨演講中，Song Jai-hyuk系統闡釋了三星以定制化HBM、垂直集成zHBM及混合銅鍵合（Hybrid Copper Bonding）技術為核心的內存戰略。

定制化HBM旨在將部分圖形處理功能從GPU轉移至HBM堆疊中的基礎芯片，從而提升性能效率；zHBM則通過3D堆疊技術將內存與CPU、GPU等計算芯片垂直集成，以增強帶寬并降低功耗。為實現上述架構，三星計劃部署混合銅鍵合技術，該技術無需微凸塊即可實現芯片直接鍵合，可使芯片更薄、互連距離更短、數據傳輸更快，凸顯先進封裝在AI芯片性能中的關鍵作用。

分析師：內存與封裝將成為主角

三星此次在韓國半導體展上的技術展示，正值行業分析師強調AI基礎設施增長愈發依賴內存與封裝技術，而非僅靠晶圓產能擴張。國際半導體產業協會（SEMI）市場情報部高級總監曾瑞榆表示，AI領域創紀錄的資本支出并不直接轉化為有效產能。“我們觀察到資本投入創歷史新高，但單純增加支出無法解決瓶頸問題。”曾瑞榆表示，真正的制約因素正從晶圓產能轉向良率、先進封裝及認證周期。

據SEMI數據，2025年韓國芯片出口額達1734億美元，同比增長22.2%，其中去年12月單月出口額創207億美元新高，反映韓國在AI加速器供應鏈中的深度整合。曾瑞榆預測，到2027年全球半導體營收與AI相關資本支出均將突破1萬億美元。晶圓廠月產能預計從當前的2500萬片增至2030年的約4500萬片，2026—2028年間韓國年均晶圓廠投資規模將達400億美元。

曾瑞榆強調，內存與先進封裝已成為AI基礎設施的系統級制約因素：“內存與封裝不再是配角，它們直接決定了AI基礎設施的擴張速度。”

花旗韓國研究主管李世澈認為，下一波AI需求可能逐步從集中式云端系統轉向分布式設備端應用，混合鍵合等后端工藝技術正與前端晶圓制造同步成為戰略重點。

近日，高盛亞太區股票策略主管Timothy Moe將當前市場環境稱為“超常態盈利期”，指出DRAM與NAND均面臨創紀錄的供應缺口，賦予內存制造商強勁定價權。他認為，這一環境或貫穿今年并延續至明年，尤其是在AI需求持續向多行業滲透的背景下。在此格局中，市場焦點集中于三星能否在高帶寬內存（HBM）領域縮小與SK海力士的差距——HBM是AI加速器的核心組件。

包括微軟、亞馬遜、Meta、甲骨文公司和Alphabet在內的科技巨頭，正計劃在2026年總計投入超過6000億美元的資本支出。

韓國科學技術信息通信部長官裴慶勛2月11日表示，OpenAI、三星電子和SK海力士正準備于3月在韓國啟動數據中心建設項目。去年10月，韓國政府曾宣布，OpenAI計劃與上述兩家韓國公司組建合資企業，在韓國建設兩座數據中心，初期總供電容量為20兆瓦。

當地時間周三，Meta表示，公司將在印第安納州投資超100億美元，建設一個數據中心園區，這是Meta迄今最大規模的人工智能基礎設施投資之一。據悉，該園區預計將提供1吉瓦的電力容量，將于2027年底或2028年初投入運營。

數據中心的大規模建設，對內存制造商帶來利好。根據TrendForce數據，由于AI與數據中心需求持續增長，導致全球存儲產品供需進一步失衡，存儲原廠議價能力繼續加強，預計一季度整體DRAM合約價（包含HBM）將環比上漲80%至85%，而整體NAND Flash合約價則環比上漲55%至60%。由于存儲價格持續上漲，驅動行業產值逐年增加，預計2026年整體存儲產業產值將達5516億美元，2027年有望同比增長53%至8427億美元。

平安證券表示，當前海外CSP不斷加碼AI基礎設施建設持續拉升企業級存儲需求，推動存儲行業景氣持續上行，存儲主流產品迎來量價齊升態勢，考慮到當前AI持續高景氣，認為本輪存儲周期的強度和持續性有望超過上一輪，相關產業鏈企業有望迎來盈利水平明顯提升。

來源：券商中國

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責編：謝伊嵐

校對：彭其華